La mémoire HBM4E à venir de Samsung aurait réussi les tests de la famille d'accélérateurs AI GPU « Rubin Ultra » de nouvelle génération de NVIDIA. C'est une excellente nouvelle pour l'entreprise, car sa précédente HBM3E ne répondait pas aux exigences de NVIDIA, ce qui a conduit NVIDIA à choisir Samsung uniquement pour la GDDR7, plutôt que pour la HBM3E.
La nouvelle génération HBM apporte des avancées significatives, et Samsung est l'un des principaux fabricants avec des conceptions fonctionnant actuellement à 14 Gbps par broche et 2,048 broches par pile HBM4E. Samsung peut atteindre une bande passante maximale de 3.6 TB/s, et à 16 Gbps, cette bande passante mémoire maximale passera à 4 TB/s pour une seule pile HBM4E. Avec environ une douzaine de piles mémoire par accélérateur AI ou GPU, la bande passante mémoire totale sera remarquable.
L'entreprise propose actuellement cette mémoire dans une configuration à 12 couches avec une densité mémoire de 48 Go par pile. Cependant, les exigences des clients incluront également des piles à 8 couches de 32 Go et à 16 couches de 64 Go à l'avenir. Pour fabriquer ce HBM4E, Samsung envoie des échantillons depuis mai de cette année, et la production totale devrait atteindre environ 20 000 tranches par mois en 2026, doublant à 50 000 tranches par mois en 2027.
Pour la fabrication de la puce de base, l'entreprise aurait alloué la moitié de sa production de nœud SF4 de 4 nm à la fabrication de la puce de base HBM4E. Cela indique un intérêt élevé des clients pour des technologies comme NVHBM, suggérant que nous pourrions voir des conceptions plus personnalisées qu'auparavant.
Entités clés : Entreprises : Samsung, NVIDIA
Source: TechPowerUp News · Résumé par HeadlinesBriefing