Samsung के आगामी HBM4E मेमोरी ने कथित तौर पर NVIDIA के अगली पीढ़ी के "Rubin Ultra" AI GPU एक्सेलेरेटर परिवार के परीक्षण पास कर लिए हैं। यह कंपनी के लिए बहुत अच्छी खबर है, क्योंकि इसका पिछला HBM3E NVIDIA की आवश्यकताओं को पूरा नहीं कर पाया था, जिसके कारण NVIDIA ने HBM3E के बजाय केवल GDDR7 के लिए Samsung को चुना।
नई HBM पीढ़ी महत्वपूर्ण प्रगति लाती है, और Samsung प्रमुख निर्माताओं में से एक है जिसके डिज़ाइन वर्तमान में प्रति पिन 14 Gbps और प्रति HBM4E स्टैक 2,048 पिन पर चल रहे हैं। Samsung अधिकतम बैंडविड्थ 3.6 TB/s प्राप्त कर सकता है, और 16 Gbps पर, एकल HBM4E स्टैक के लिए यह अधिकतम मेमोरी बैंडविड्थ 4 TB/s तक बढ़ जाएगी। प्रति AI एक्सेलेरेटर या GPU में लगभग एक दर्जन मेमोरी स्टैक के साथ, कुल मेमोरी बैंडविड्थ उल्लेखनीय होगी।
कंपनी वर्तमान में इस मेमोरी को 12-लेयर कॉन्फ़िगरेशन में प्रति स्टैक 48 GB की मेमोरी घनत्व के साथ पेश कर रही है। हालांकि, ग्राहक आवश्यकताओं में भविष्य में 8-लेयर 32 GB और 16-लेयर 64 GB स्टैक भी शामिल होंगे। इस HBM4E के निर्माण के लिए, Samsung इस वर्ष मई से नमूने भेज रहा है, और कुल वॉल्यूम उत्पादन 2026 में प्रति माह लगभग 20,000 वेफर्स होने की उम्मीद है, जो 2027 में दोगुना होकर प्रति माह 50,000 वेफर्स हो जाएगा।
बेस डाई निर्माण के लिए, कंपनी ने कथित तौर पर अपने 4 nm SF4 नोड उत्पादन का आधा हिस्सा HBM4E बेस डाई निर्माण के लिए आवंटित किया है। यह NVHBM जैसी तकनीकों में उच्च ग्राहक रुचि को इंगित करता है, जो सुझाव देता है कि हम पहले की तुलना में अधिक अनुकूलित डिज़ाइन देख सकते हैं।
प्रमुख संस्थाएं: कंपनियां: Samsung, NVIDIA
स्रोत: TechPowerUp News · HeadlinesBriefing द्वारा सारांशित