Samsungs bevorstehender HBM4E-Speicher hat Berichten zufolge die Tests für NVIDIAs nächste Generation der „Rubin Ultra“ AI-GPU-Beschleunigerfamilie bestanden. Dies ist eine großartige Nachricht für das Unternehmen, da sein früherer HBM3E die Anforderungen von NVIDIA nicht erfüllte, was dazu führte, dass NVIDIA Samsung nur für GDDR7 und nicht für HBM3E auswählte.
Die neue HBM-Generation bringt bedeutende Fortschritte, und Samsung ist einer der führenden Hersteller mit Designs, die derzeit mit 14 Gbps pro Pin und 2.048 Pins pro HBM4E-Stack laufen. Samsung kann eine maximale Bandbreite von 3.6 TB/s erreichen, und bei 16 Gbps erhöht sich diese maximale Speicherbandbreite auf 4 TB/s für einen einzelnen HBM4E-Stack. Mit etwa einem Dutzend Speicherstapeln pro AI-Beschleuniger oder GPU wird die gesamte Speicherbandbreite bemerkenswert sein.
Das Unternehmen bietet diesen Speicher derzeit in einer 12-Schicht-Konfiguration mit einer Speicherdichte von 48 GB pro Stack an. Kundenanforderungen werden jedoch in Zukunft auch 8-Schicht-32-GB- und 16-Schicht-64-GB-Stacks umfassen. Für die Herstellung dieses HBM4E versendet Samsung seit Mai dieses Jahres Muster, und die Gesamtproduktion wird voraussichtlich bei etwa 20.000 Wafern pro Monat im Jahr 2026 liegen und sich im Jahr 2027 auf 50.000 Wafer pro Monat verdoppeln.
Für die Herstellung des Basis-Dies hat das Unternehmen Berichten zufolge die Hälfte seiner 4-nm-SF4-Knotenproduktion für die HBM4E-Basis-Die-Herstellung reserviert. Dies deutet auf ein hohes Kundeninteresse an Technologien wie NVHBM hin, was darauf hindeutet, dass wir möglicherweise stärker individualisierte Designs sehen werden als zuvor.
Wichtige Entitäten: Unternehmen: Samsung, NVIDIA
Quelle: TechPowerUp News · Zusammengefasst von HeadlinesBriefing