三星即将推出的HBM4E内存据报道已通过NVIDIA下一代“Rubin Ultra”AI GPU加速器家族的测试。这对公司来说是个好消息，因为其之前的HBM3E未能满足NVIDIA的要求，导致NVIDIA仅选择三星用于GDDR7，而非HBM3E。
新的HBM世代带来了显著进步，三星是领先制造商之一，其设计目前运行在每引脚14 Gbps，每个HBM4E堆栈有2,048个引脚。三星可实现最大带宽3.6 TB/s，在16 Gbps时，单个HBM4E堆栈的最大内存带宽将增加到4 TB/s。每个AI加速器或GPU约有十几个内存堆栈，总内存带宽将非常可观。
该公司目前以12层配置提供此内存，每堆栈内存密度为48 GB。然而，客户需求未来还将包括8层32 GB和16层64 GB堆栈。为制造此HBM4E，三星自今年5月起已发送样品，预计总产量在2026年达到每月约20,000片晶圆，2027年翻倍至每月50,000片晶圆。
对于基础芯片制造，据报道该公司已将其4纳米SF4节点产量的一半分配给HBM4E基础芯片制造。这表明客户对NVHBM等技术兴趣浓厚，暗示我们可能看到比以往更定制化的设计。
关键实体：公司：Samsung，NVIDIA
来源: TechPowerUp News · 由HeadlinesBriefing整理摘要