A próxima memória HBM4E da Samsung passou, segundo relatos, nos testes da família de aceleradores AI GPU "Rubin Ultra" de próxima geração da NVIDIA. Esta é uma ótima notícia para a empresa, já que sua HBM3E anterior não atendeu aos requisitos da NVIDIA, levando a NVIDIA a escolher a Samsung apenas para GDDR7, em vez de HBM3E.
A nova geração HBM traz avanços significativos, e a Samsung é um dos principais fabricantes com designs atualmente rodando a 14 Gbps por pino e 2.048 pinos por pilha HBM4E. A Samsung pode atingir uma largura de banda máxima de 3.6 TB/s, e a 16 Gbps, essa largura de banda máxima de memória aumentará para 4 TB/s para uma única pilha HBM4E. Com cerca de uma dúzia de pilhas de memória por acelerador AI ou GPU, a largura de banda total de memória será notável.
A empresa está atualmente oferecendo esta memória em uma configuração de 12 camadas com densidade de memória de 48 GB por pilha. No entanto, os requisitos dos clientes também incluirão pilhas de 8 camadas de 32 GB e 16 camadas de 64 GB no futuro. Para fabricar este HBM4E, a Samsung vem enviando amostras desde maio deste ano, e a produção total deve ser de cerca de 20.000 wafers por mês em 2026, dobrando para 50.000 wafers por mês em 2027.
Para a fabricação do die base, a empresa supostamente alocou metade de sua produção de nó SF4 de 4 nm para a fabricação do die base HBM4E. Isso indica alto interesse dos clientes em tecnologias como NVHBM, sugerindo que podemos ver designs mais personalizados do que antes.
Entidades-chave: Empresas: Samsung, NVIDIA
Fonte: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing