Memori HBM4E Samsung yang akan datang dilaporkan telah lolos pengujian untuk keluarga akselerator AI GPU "Rubin Ultra" generasi berikutnya dari NVIDIA. Ini adalah kabar baik bagi perusahaan, karena HBM3E sebelumnya tidak memenuhi persyaratan NVIDIA, yang menyebabkan NVIDIA memilih Samsung hanya untuk GDDR7, bukan HBM3E.
Generasi HBM baru membawa kemajuan signifikan, dan Samsung adalah salah satu produsen terkemuka dengan desain yang saat ini berjalan pada 14 Gbps per pin dan 2.048 pin per tumpukan HBM4E. Samsung dapat mencapai bandwidth maksimum 3.6 TB/s, dan pada 16 Gbps, bandwidth memori maksimum ini akan meningkat menjadi 4 TB/s untuk satu tumpukan HBM4E. Dengan sekitar selusin tumpukan memori per akselerator AI atau GPU, total bandwidth memori akan luar biasa.
Perusahaan saat ini menawarkan memori ini dalam konfigurasi 12 lapis dengan kepadatan memori 48 GB per tumpukan. Namun, persyaratan pelanggan juga akan mencakup tumpukan 8 lapis 32 GB dan 16 lapis 64 GB di masa mendatang. Untuk memproduksi HBM4E ini, Samsung telah mengirimkan sampel sejak Mei tahun ini, dan total produksi volume diperkirakan sekitar 20.000 wafer per bulan pada 2026, dua kali lipat menjadi 50.000 wafer per bulan pada 2027.
Untuk pembuatan base die, perusahaan dilaporkan telah mengalokasikan setengah dari produksi node SF4 4 nm-nya untuk pembuatan base die HBM4E. Ini menunjukkan minat pelanggan yang tinggi pada teknologi seperti NVHBM, yang menunjukkan bahwa kita mungkin melihat desain yang lebih disesuaikan dari sebelumnya.
Entitas kunci: Perusahaan: Samsung, NVIDIA
Sumber: TechPowerUp News · Diringkas oleh HeadlinesBriefing