La próxima memoria HBM4E de Samsung ha superado, según informes, las pruebas para la familia de aceleradores AI GPU "Rubin Ultra" de próxima generación de NVIDIA. Esta es una gran noticia para la empresa, ya que su HBM3E anterior no cumplió con los requisitos de NVIDIA, lo que llevó a NVIDIA a elegir a Samsung solo para GDDR7, en lugar de HBM3E.
La nueva generación HBM trae avances significativos, y Samsung es uno de los principales fabricantes con diseños que actualmente funcionan a 14 Gbps por pin y 2,048 pines por pila HBM4E. Samsung puede lograr un ancho de banda máximo de 3.6 TB/s, y a 16 Gbps, este ancho de banda máximo de memoria aumentará a 4 TB/s para una sola pila HBM4E. Con aproximadamente una docena de pilas de memoria por acelerador AI o GPU, el ancho de banda total de memoria será notable.
La empresa actualmente ofrece esta memoria en una configuración de 12 capas con una densidad de memoria de 48 GB por pila. Sin embargo, los requisitos del cliente también incluirán pilas de 8 capas de 32 GB y 16 capas de 64 GB en el futuro. Para fabricar este HBM4E, Samsung ha estado enviando muestras desde mayo de este año, y se espera que la producción total sea de alrededor de 20,000 obleas por mes en 2026, duplicándose a 50,000 obleas por mes en 2027.
Para la fabricación del dado base, la empresa supuestamente ha asignado la mitad de su producción de nodo SF4 de 4 nm a la fabricación del dado base HBM4E. Esto indica un alto interés del cliente en tecnologías como NVHBM, lo que sugiere que podríamos ver diseños más personalizados que antes.
Entidades clave: Empresas: Samsung, NVIDIA
Fuente: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing