Samsung-এর আসন্ন HBM4E মেমরি reportedly NVIDIA-এর পরবর্তী প্রজন্মের "Rubin Ultra" AI GPU এক্সিলারেটর পরিবারের পরীক্ষায় উত্তীর্ণ হয়েছে। এটি কোম্পানির জন্য খুবই ভালো খবর, কারণ এর আগের HBM3E NVIDIA-এর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে পারেনি, যার ফলে NVIDIA HBM3E-এর পরিবর্তে শুধুমাত্র GDDR7-এর জন্য Samsung-কে বেছে নেয়।
নতুন HBM প্রজন্ম উল্লেখযোগ্য অগ্রগতি নিয়ে আসে, এবং Samsung শীর্ষস্থানীয় নির্মাতাদের মধ্যে একটি যার ডিজাইন বর্তমানে প্রতি পিনে 14 Gbps এবং প্রতি HBM4E স্ট্যাকে 2,048 পিনে চলছে। Samsung সর্বোচ্চ ব্যান্ডউইথ 3.6 TB/s অর্জন করতে পারে, এবং 16 Gbps-এ, একটি একক HBM4E স্ট্যাকের জন্য এই সর্বোচ্চ মেমরি ব্যান্ডউইথ 4 TB/s-এ বৃদ্ধি পাবে। প্রতি AI এক্সিলারেটর বা GPU-তে প্রায় এক ডজন মেমরি স্ট্যাকের সাথে, মোট মেমরি ব্যান্ডউইথ অসাধারণ হবে।
কোম্পানি বর্তমানে এই মেমরি 12-স্তর কনফিগারেশনে প্রতি স্ট্যাকে 48 GB মেমরি ঘনত্বের সাথে অফার করছে। তবে, গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তায় ভবিষ্যতে 8-স্তর 32 GB এবং 16-স্তর 64 GB স্ট্যাকও অন্তর্ভুক্ত থাকবে। এই HBM4E তৈরির জন্য, Samsung এই বছরের মে মাস থেকে নমুনা পাঠাচ্ছে, এবং মোট ভলিউম উৎপাদন 2026 সালে প্রতি মাসে প্রায় 20,000 ওয়েফার হবে বলে আশা করা হচ্ছে, যা 2027 সালে দ্বিগুণ হয়ে প্রতি মাসে 50,000 ওয়েফার হবে।
বেস ডাই তৈরির জন্য, কোম্পানি reportedly তার 4 nm SF4 নোড উৎপাদনের অর্ধেক HBM4E বেস ডাই তৈরির জন্য বরাদ্দ করেছে। এটি NVHBM-এর মতো প্রযুক্তিতে উচ্চ গ্রাহক আগ্রহ নির্দেশ করে, যা পরামর্শ দেয় যে আমরা আগের চেয়ে আরও কাস্টমাইজড ডিজাইন দেখতে পেতে পারি।
মূল সত্তা: কোম্পানি: Samsung, NVIDIA
উৎস: TechPowerUp News · সারাংশ: HeadlinesBriefing