Сообщается, что предстоящая память HBM4E от Samsung прошла тестирование для семейства AI GPU-ускорителей следующего поколения NVIDIA «Rubin Ultra». Это отличная новость для компании, поскольку ее предыдущая HBM3E не соответствовала требованиям NVIDIA, что привело к тому, что NVIDIA выбрала Samsung только для GDDR7, а не для HBM3E.
Новое поколение HBM приносит значительные улучшения, и Samsung является одним из ведущих производителей с конструкциями, работающими в настоящее время на скорости 14 Гбит/с на контакт и 2 048 контактов на стек HBM4E. Samsung может достичь максимальной пропускной способности 3,6 ТБ/с, а при 16 Гбит/с эта максимальная пропускная способность памяти увеличится до 4 ТБ/с для одного стека HBM4E. При наличии примерно дюжины стеков памяти на один AI-ускоритель или GPU общая пропускная способность памяти будет впечатляющей.
В настоящее время компания предлагает эту память в 12-слойной конфигурации с плотностью памяти 48 ГБ на стек. Однако требования клиентов в будущем также будут включать 8-слойные стеки по 32 ГБ и 16-слойные стеки по 64 ГБ. Для производства этого HBM4E Samsung отправляет образцы с мая этого года, и ожидается, что общий объем производства составит около 20 000 пластин в месяц в 2026 году, удвоившись до 50 000 пластин в месяц в 2027 году.
Для производства базового кристалла компания, как сообщается, выделила половину своего производства на узле SF4 с техпроцессом 4 нм для производства базового кристалла HBM4E. Это указывает на высокий интерес клиентов к таким технологиям, как NVHBM, что позволяет предположить, что мы можем увидеть более кастомизированные конструкции, чем раньше.
Ключевые субъекты: Компании: Samsung, NVIDIA
Источник: TechPowerUp News · Сводку подготовил HeadlinesBriefing