ذكرت التقارير أن ذاكرة HBM4E القادمة من Samsung قد اجتازت اختبارات عائلة مسرعات AI GPU "Rubin Ultra" من الجيل التالي من NVIDIA. هذه أخبار رائعة للشركة، حيث أن HBM3E السابقة لم تلب متطلبات NVIDIA، مما دفع NVIDIA لاختيار Samsung فقط لـ GDDR7 بدلاً من HBM3E.
يجلب جيل HBM الجديد تقدمًا كبيرًا، وSamsung هي واحدة من الشركات المصنعة الرائدة بتصميمات تعمل حاليًا بسرعة 14 Gbps لكل دبوس و2,048 دبوسًا لكل كومة HBM4E. يمكن لـ Samsung تحقيق أقصى عرض نطاق يبلغ 3.6 TB/s، وعند 16 Gbps، سيزيد هذا الحد الأقصى لعرض نطاق الذاكرة إلى 4 TB/s لكومة HBM4E واحدة. مع حوالي اثنتي عشرة كومة ذاكرة لكل مسرع AI أو GPU، سيكون إجمالي عرض نطاق الذاكرة ملحوظًا.
تقدم الشركة حاليًا هذه الذاكرة بتكوين 12 طبقة بكثافة ذاكرة 48 GB لكل كومة. ومع ذلك، ستشمل متطلبات العملاء أيضًا أكوامًا من 8 طبقات بسعة 32 GB و16 طبقة بسعة 64 GB في المستقبل. لتصنيع هذا HBM4E، كانت Samsung ترسل عينات منذ مايو من هذا العام، ومن المتوقع أن يصل إجمالي الإنتاج إلى حوالي 20,000 رقاقة شهريًا في 2026، ليتضاعف إلى 50,000 رقاقة شهريًا في 2027.
بالنسبة لتصنيع القاعدة الأساسية، ذكرت التقارير أن الشركة خصصت نصف إنتاج عقدة SF4 بحجم 4 نانومتر لتصنيع قاعدة HBM4E. يشير هذا إلى اهتمام كبير من العملاء بتقنيات مثل NVHBM، مما يوحي بأننا قد نشهد تصميمات أكثر تخصيصًا من ذي قبل.
الكيانات الرئيسية: الشركات: Samsung، NVIDIA
المصدر: TechPowerUp News · لخّصه HeadlinesBriefing