根据ET News援引供应链消息来源，TSMC正在推迟投资用于 HBM 内存集成的混合键合技术。混合键合通过嵌入的金属凸点熔合形成永久键合，消除了传统凸点，直接键合铜互连。虽然芯片焊料凸点约为100微米，微凸点约为20微米，混合键合可将其缩小至1微米。TSMC计划避免使用混合键合用于 HBM，转而投资5微米微凸点，并准备与韩日供应商链合作，以实现2028年下半年的大规模生产。这种方法与 AMD 的 3D V-Cache 形成对比，后者使用混合键合堆叠 SRAM。TSMC 继续坚持成熟的方法，类似于其在 1nm 及以下先进节点使用带多重图案化的 Low-NA EUV 光刻，尽管业界普遍认为混合键合是最高性能芯片堆叠方法。