据ET News引用供应链来源报道，台积电正在放弃投资一种称为混合键合的硅封装技术。该技术通过将嵌入金属凸点的硅芯片粘合在一起，形成一个单一芯片。在现代封装中，微凸点的大小约为20微米，而混合键合将其缩小至1微米。对于台积电而言，未来的可能方向是绕过混合键合，投资5微米的微凸点以提升性能。韩国和日本的供应商据称正在与台积电合作，预计5微米微凸点将于2028年下半年实现大规模生产。顺便提一下，AMD的3D V-Cache技术使用混合键合将SRAM堆叠在逻辑芯片上，但台积电目前仅能提供有限的该技术产能。这并非台积电首次选择不采纳最新的封装技术；该公司仍相信低NA EUV光刻技术足以支撑下一代节点，直到1纳米及以下节点开始量产为止。这一趋势延续至微凸点，即使整个行业，包括SK hynix，都视混合键合为堆叠芯片最有效的方法。