Samsung在SEMICON Taiwan 2026上展示了其更新的内存路线图，HBM5和zHBM是主要重点。HBM5目标是2倍性能、每瓦能效提升20%、热阻降低20%，采用2 nm基础裸片和12-20层堆叠，计划2028年量产。zHBM将内存直接堆叠在处理器上，目标8倍原始性能和每瓦能效3倍提升，热阻降低75-90%；概念模型在FMS 2026上亮相，预计2029年后推出。Samsung还确认HBM4E以每引脚16 Gbps出货，当前HBM4以每引脚11.7 Gbps出货。在NAND方面，Samsung开发z NAND-O，目标10倍位密度和7倍读取带宽，2028年出样。业界正在重新思考HBM架构，NVIDIA也在推进NVHBM，将内存控制器移入HBM基础裸片中。