三星正与TSMC合作，为NVIDIA新宣布的NVHBM内存标准提供基座芯片供应。这一架构将控制器集成到3D HBM堆栈中，显著提升性能和效率。与标准HBM4E相比，NVIDIA声称内存带宽提高达30%，HBM功耗降低15%，可用计算芯片面积增加达25%。基座芯片的一个关键要求是TSMC的3纳米工艺，这迫使三星与竞争对手合作，尽管它拥有自己的生产能力。这种安排仅适用于基座芯片，而三星继续使用其第六代10纳米工艺生产内存堆栈。三星已开始运送速度为每针14Gbps的HBM4E。该开发显著提升了对三星半导体事业部的信心。考虑到NVIDIA声称的30%带宽提升，单个NVHBM理论上可达约5.2TB/s。HBM功耗降低15%为计算芯片提供了额外的热余量。
来源: TechPowerUp News · 由HeadlinesBriefing整理摘要