Samsung kooperiert mit TSMC, um eine Basis-Chip-Versorgung für den neu angekünderten NVHBM-Speirstandard von NVIDIA sicherzustellen. Diese Architektur integriert den Controller in den 3D-HBM-Stack und verbessert die Leistung und Effizienz erheblich. Im Vergleich zu Standard-HBM4E behauptet NVIDIA bis zu 30% mehr Speicherbandbreite, 15% geringerer HBM-Stromverbrauch und bis zu 25% mehr nutzbare Rechenchipfläche.
Eine wichtige Anforderung an den Basis-Chip ist der 3-Nanometer-Knoten von TSMC, was Samsung zwingt, trotz eigener Fertigungskapazitäten, mit einem Konkurrenten zusammenzuarbeiten. Diese Vereinbarung gilt nur für den Basis-Chip, während Samsung weiterhin seine sechste Generation der 10-Nanometer-Prozesse für die Speicherstapel verwendet. Samsung hat bereits mit dem Versand von HBM4E mit Geschwindigkeiten von 14 Gbps pro Pin begonnen.
Diese Entwicklung stärkt das Vertrauen in die Halbleitersparte von Samsung erheblich. Angesichts der von NVIDIA behaupteten 30%igen Bandbreitenverbesserung könnte ein einzelner NVHBM theoretisch etwa 5,2 TB/s erreichen. Die 15%ige Reduktion des HBM-Stromverbrauchs bietet zusätzlichen thermischen Spielraum für den Rechenchip.
Quelle: TechPowerUp News · Zusammengefasst von HeadlinesBriefing