Samsung bekerja sama dengan TSMC untuk memastikan pasokan die basis untuk standar memori NVHBM yang baru diumumkan NVIDIA. Arsitektur ini mengintegrasikan kontroler ke dalam stack 3D HBM, meningkatkan performa dan efisiensi dengan signifikan. Dibandingkan dengan HBM4E standar, NVIDIA mengklaim hingga 30% lebih banyak bandwidth memori, 15% penggunaan daya HBM yang lebih rendah, dan hingga 25% lebih banyak area die komputasi yang dapat digunakan.
Persyaratan kunci untuk die basis adalah node 3 nm TSMC, memaksa Samsung untuk berkolaborasi dengan kompetitornya meskipun memiliki kapasitas produksi sendiri. Pengaturan ini hanya berlaku untuk die basis, sementara Samsung terus menggunakan proses 10 nm generasi keenamnya untuk stack memori. Samsung telah mulai mengirim HBM4E dengan kecepatan 14 Gbps per pin.
Pengembangan ini secara signifikan meningkatkan kepercayaan pada divisi Semikonduktor Samsung. Dengan mempertimbangkan peningkatan bandwidth sebesar 30% yang diklaim NVIDIA, satu NVHBM secara teoritis dapat mencapai sekitar 5,2 TB/s. Pengurangan penggunaan daya HBM sebesar 15% memberikan ruang termal tambahan untuk die komputasi.
Sumber: TechPowerUp News · Diringkas oleh HeadlinesBriefing