Samsung تتعاون مع TSMC لتأمين إمدادات شريحة أساسية لمعيار الذاكرة NVHBM الذي أعلنته NVIDIA حديثًا. هندستها تدمج وحدة التحكم في مكدس HBM ثلاثي الأبعاد، مما يعزز الأداء والكفاءة بشكل كبير. مقارنة بـ HBM4E القياسي، يدعي NVIDIA زيادة النطاق النفسي للذاكرة بنسبة تصل إلى 30%، وخفض استهلاك طاقة HBM بنسبة 15%، وزيادة مساحة شريحة الحوسبة القابلة للاستخدام بنسبة تصل إلى 25%. متطلبات رئيسية للشريحة الأساسية هي عقدة 3 نانومتر لدى TSMC، مما يجبر Samsung على الشراكة مع منافسها رغم امتلاكها لقدرات إنتاجية خاصة بها. ينطبق هذا الترتيب فقط على الشريحة الأساسية، بينما تواصل Samsung استخدام عملياتها البلورية في الجيل السادس من 10 نانومتر لأكوام الذاكرة. لقد بدأت Samsung بالفعة في شحن HBM4E بسرعات 14 جيجابت في الثانية لكل دبوس. يعزز هذا التطور بشكل كبير الثقة في قسم أشباه الموصلات في Samsung. بمراعاة التحسين في النطاق النفسي البالغ 30% الذي ادعاه NVIDIA، يمكن لـ NVHBM واحد نظريًا تحقيق حوالي 5.2 تيرابايت في الثانية. يوفر انخفاض استهلاك طاقة HBM بنسبة 15% مساحة حرارية إضافية لشريحة الحوسبة.
المصدر: TechPowerUp News · لخّصه HeadlinesBriefing