Samsung está colaborando com TSMC para garantir um fornecimento de chips base para o novo anunciado padrão de memória NVHBM da NVIDIA. Esta arquitetura integra o controlador na pilha 3D HBM, melhorando significativamente o desempenho e a eficiência. Em comparação com HBM4E padrão, NVIDIA afirma até 30% mais largura de banda de memória, 15% menos consumo de energia HBM e até 25% mais área de chip de cálculo utilizável.
Um requisito-chave para o chip base é o nó de 3 nm da TSMC, forçando Samsung a parcer com seu concorrente apesar de ter suas próprias capacidades de produção. Este arranjo aplica-se apenas ao chip base, enquanto Samsung continua usando seus processos de 10 nm de sexta geração para as pilhas de memória. Samsung já começou a enviar HBM4E com velocidades de 14 Gbps por pino.
Este desenvolvimento aumenta significativamente a confiança na divisão de Semicondutores da Samsung. Considerando a melhoria de largura de banda de 30% afirmada pela NVIDIA, um único NVHBM poderia teoricamente atingir cerca de 5,2 TB/s. A redução de 15% no consumo de energia HBM fornece espaço térmico adicional para o chip de cálculo.
Fonte: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing