Samsung сотрудничает с TSMC для обеспечения поставок базовых чипов для нового объявленного стандарта памяти NVHBM от NVIDIA. Эта архитектура интегрирует контроллер в 3D стек HBM, что значительно улучшает производительность и эффективность. По сравнению с стандартным HBM4E, NVIDIA з声称 до 30% большую пропускную способность памяти, на 15% меньшее энергопотребление HBM и до 25% большую используемую площадь вычислительного чипа. Ключевое требование к базовому чипу — узел 3 нм от TSMC, что вынуждает Samsung сотрудничать с конкурентом, несмотря на собственные производственные возможности. Это соглашение применяется только к базовому чипу, в то время как Samsung продолжает использовать свои шестые поколения 10 нм технологических процессов для памяти стеков. Samsung уже начала поставки HBM4E со скоростями 14 Гбит/с на вывод. Это развитие значительно повышает уверенность в дивизионе полупроводников Samsung. Учитывая заявленное NVIDIA улучшение пропускной способности на 30%, один NVHBM теоретически может достичь около 5,2 ТБ/с. Снижение энергопотребления HBM на 15% обеспечивает дополнительный тепловой запас для вычислительного чипа.
Источник: TechPowerUp News · Сводку подготовил HeadlinesBriefing