Samsung TSMC के साथ मिलकर NVIDIA के newly announced NVHBM मेमरी स्टैंडर्ड के लिए base die supply की आपूर्ति सुनिश्चित कर रहा है। यह आर्किटेक्चर 3D HBM स्टैक में कंट्रोलर को एकीकृत करती है, जो प्रदर्शन और दक्षता को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है। मानक HBM4E की तुलना में, NVIDIA का दावा है कि मेमरी बैंडविड्थ में 30% अधिक, HBM पावर उपभोग में 15% कम, और usable compute die area में 25% अधिक। base die की एक प्रमुख आवश्यकता TSMC का 3 nm नोड है, जो Samsung को अपनी उत्पादन क्षमता के बावजूद प्रतिद्वंद्वी के साथ साझेदारी करनी पड़ती है। यह arrangement केवल base die तक सीमित है, जबकि Samsung मेमरी स्टैक्स के लिए अपने छठीं पीढ़ी के 10 nm प्रक्रियाओं का उपयोग जारी रखता है। Samsung ने 14 Gbps प्रति पिन की गति वाले HBM4E के शिपिंग शुरू कर दी है। यह विकास Samsung की Semiconductor डिवीजन के विश्वास को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है। NVIDIA के दावाएँ 30% बैंडविड्थ सुधार को ध्यान में रखते हुए, एकल NVHBM सैद्धांतिक रूप से लगभग 5.2 TB/s हासिल कर सकता है। HBM पावर ड्रॉ में 15% की कमी कंप्यूट डाइ के लिए अतिरिक्त तापीय स्थान प्रदान करती है।
स्रोत: TechPowerUp News · HeadlinesBriefing द्वारा सारांशित