Samsung ने DigiTimes के रिपोर्ट के अनुसार, इस नवंबर में अपनी दूसरी चिप फैब का मूलयान्त्रण करेगा, जो टेक्सास के तैयर में स्थित है, और बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए 2030 के लक्ष्य है। तैयर फैब 2 लगभग 2.7 मिलियन वर्ग फीट के आकार में होगा। Samsung ने 15 अक्टूबर के एक कार्यक्रम में भी समय सारणी की पुष्टि की है, जहाँ Jonathan Taylor ने Samsung Austin Semiconductor ने बताया कि निर्माण अगले महीने शुरू होना चाहिए और कि Fab 2 "Fab One से एक और आधा गुना बड़ा होगा"।
जुलाई में, Samsung ने अपनी अग्रणी प्रक्रिया क्षमता ग्राहक अनुरोधों से पीछे हो गई ठहराई, जबकि 1.4 नैनोमीटर प्रक्रिया के लिए निर्णयों की संख्या लगातार बढ़ रही थी, जो पिछले साल बंद करने पर विचार करने वाले था। Fab 2 की प्रक्रिया अभी तक घोषित नहीं हुई है। पहली तैयर फैब ने अपने मूल 2024 के लक्ष्य से काफी देर तक झुका है, लेकिन इस बार इसे सरल में ले जाना लगा है। स्थापित उपकरण ने प्रक्रियाओं को चलाना शुरू कर दिया है, जबकि प्लांट चरणबद्ध प्रमाणीकरण में लग रहा है। Fab 1 Samsung की 2 नैनोमीटर प्रक्रिया के लिए EUV लिथोग्राफी का उपयोग करता है, जिसके संचालन की योजना 2026 के अंत तक है और 2027 में बड़े पैमाने पर उत्पादन है। इसका सबसे प्रसिद्ध ग्राहक Tesla है, जो 2033 तक चलने वाले $16.5 बिलियन के अनुबंध में AI6 चिप को कवर करता है, और Samsung भी Texas में Tesla के AI5 को 2 नैनोमीटर पर निर्मित करने के लिए तैयार है। दोनों फैब के बीच ऑर्डर कैसे बाँटे जाएंगे इस बारे में कुछ भी नहीं पता चला है। Samsung Central Texas में 37 बिलियन डॉलर से अधिक निवेश करने की योजना बना रहा है, जो 2023 के CHIPS एक्ट के तहत अंदित्त $4.745 बिलियन के समर्थन के साथ है। देखिए कि Fab 1 कितना देर से हुआ, तो 2030 के लक्ष्य को कई उपायों पर निर्भर करना व्यावहारिक है।
स्रोत: TechPowerUp News · HeadlinesBriefing द्वारा सारांशित