据DigiTimes引用韩国《The Guru》报道，三星计划于今年十月在德克萨斯州泰勒破土建设第二座芯片工厂，大规模生产目标为2030年。泰勒二号厂将约占270万平方英尺。三星在10月15日于工厂附近举行的活动中似乎已确认了时间表，其中Jonathan Taylor表示，建设应在下个月开始，二号厂将“比一号厂大一倍五十倍”。
7月，三星承认其领先的制程产能落后于客户需求，而对于1.4纳米制程的询盘持续攀升，该制程据称去年曾考虑停用。二号厂的制程尚未披露。第一座泰勒厂虽然已超出原定2024年目标，但似乎已恢复轨道。已安装的设备已开始运行工艺，工厂正在进行分阶段资格认证。一号厂采用EUV光刻技术实现三星2纳米制程，计划于2026年底实现运营，2027年实现大规模生产。其最知名的客户是特斯拉，该公司与三星签约165亿美元合同，至2033年，涵盖AI6芯片，三星还计划在德克萨斯州为特斯拉建造AI5号2纳米芯片。两种工厂的订单分配情况尚不明确。三星计划在中部德克萨斯州投资超过370亿美元，获得最高47.45亿美元的CHIPS法案补助资金。鉴于一号厂用时较长，合理预计2030年目标将高度依赖需求。
来源: TechPowerUp News · 由HeadlinesBriefing整理摘要