中国初创公司朗道硅芯已展示首款国产极紫外光刻（EUV）激光光源的研发进展，逐步为中国实现供应链完全独立铺平道路。该系统命名为FlintNano LPP-OXXO，据报道可输出超过15 W的EUV光，且其组件约90%为国产或自主研发。该技术采用激光产生等离子体（LPP）方式，利用高功率激光产生等离子体以生成先进芯片制造所需的EUV辐射，这一过程与ASML所使用的工艺类似。根据朗道硅芯公布的规格，Flint Nano系统采用一台1,000 W驱动激光器，重复频率在1至20 kHz之间。其转换效率超过2%，公司宣称该设备可连续运行超过100小时。原型机据称适用于晶圆曝光测试，尽管仍需进一步微调。
读者可能记得，EUV光刻工具被禁止向中国销售，因为美国政府曾施压荷兰政府阻止这些先进工具的销售。事实上，ASML从未向中国交付过一台EUV扫描仪，因为荷兰政府在美国压力下于2019年阻止了出口。至今尚未有任何系统在中国部署，但ASML继续向中国客户交付DUV系统。更重要的是，开发光源仅是构建完整EUV扫描仪的一部分。此类系统还需要极其精确的反射光学元件、先进的晶圆定位机制以及众多子系统的复杂集成。中国企业目前正在大规模生产沉浸式DUV机器。例如，上海裕凌升科技正在开发氟化氩（ArF）准分子激光器，以产生193 nm波长的DUV光，但EUV仍需数年时间。即使拥有功能性的国内EUV光源，也不意味着中国已研发出完整的EUV光刻系统。
来源: TechPowerUp News · 由HeadlinesBriefing整理摘要