A startup chinesa Langdao Silex demonstrou o desenvolvimento da primeira fonte laser de litografia ultravioleta extrema (EUV) desenvolvida localmente, pavimentando gradualmente o caminho para a independência total da cadeia de suprimentos da China. O sistema, chamado FlintNano LPP-OXXO, reportedly fornece mais de 15 W de saída EUV e utiliza componentes que são aproximadamente 90% de origem nacional ou desenvolvidos localmente. Baseia-se no plasma produzido por laser (LPP), uma técnica que utiliza lasers de alta potência para gerar plasma e produzir a radiação EUV necessária para a fabricação avançada de chips, semelhante ao processo utilizado pela ASML. De acordo com as especificações publicadas pela Langdao Silex, o sistema Flint Nano emprega um laser de acionamento de 1,000 W operando em taxas de repetição entre 1 e 20 kHz. Sua eficiência de conversão excede 2%, e a empresa afirma que o equipamento pode operar continuamente por mais de 100 horas. O protótipo reportedly é adequado para testes de exposição de wafers, embora ainda seja necessário um ajuste fino adicional.
Os leitores podem se lembrar de que as ferramentas de litografia EUV são proibidas de serem vendidas na China, pois o governo dos Estados Unidos anteriormente pressionou o governo holandês a interromper as vendas dessas ferramentas avançadas. Na verdade, a ASML nunca enviou um único scanner EUV para a China, pois o governo holandês, sob pressão dos Estados Unidos, bloqueou as exportações em 2019. Nenhum sistema foi implantado até agora, mas a ASML continua enviando sistemas DUV para clientes chineses. Mais importante ainda, desenvolver uma fonte de luz é apenas uma parte da construção de um scanner EUV completo. Tais sistemas também requerem ópticas refletivas extremamente precisas, mecanismos sofisticados de posicionamento de wafers e uma integração complexa em numerosos subsistemas. As empresas chinesas estão atualmente produzindo em massa máquinas DUV de imersão. Por exemplo, a Shanghai Yuliangsheng Technology está desenvolvendo um laser excimer de fluoreto de argônio (ArF) para produzir luz DUV em um comprimento de onda de 193 nm, mas o EUV ainda está a anos de distância. Mesmo possuindo uma fonte de luz EUV funcional desenvolvida localmente, isso não significa que a China tenha desenvolvido um sistema completo de litografia EUV.
Fonte: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing