La startup china Langdao Silex ha demostrado el desarrollo de la primera fuente láser de litografía ultravioleta extrema (EUV) de origen nacional, allanando gradualmente el camino hacia la independencia total de la cadena de suministro de China. El sistema, llamado FlintNano LPP-OXXO, reportedly ofrece más de 15 W de salida EUV y utiliza componentes que son aproximadamente 90% de origen nacional o desarrollados localmente. Se basa en plasma producido por láser (LPP), una técnica que utiliza láseres de alta potencia para generar plasma y producir la radiación EUV necesaria para la fabricación avanzada de chips, similar al proceso utilizado por ASML. Según las especificaciones publicadas por Langdao Silex, el sistema Flint Nano emplea un láser impulsor de 1,000 W que opera a tasas de repetición entre 1 y 20 kHz. Su eficiencia de conversión supera el 2%, y la empresa afirma que el equipo puede funcionar continuamente durante más de 100 horas. El prototipo reportedly es adecuado para pruebas de exposición de wafers, aunque aún se necesita un ajuste fino adicional.
Los lectores podrían recordar que las herramientas de litografía EUV están prohibidas para su venta en China, ya que el gobierno de Estados Unidos presionó previamente al gobierno holandés para detener las ventas de estas herramientas avanzadas. De hecho, ASML nunca ha enviado un solo escáner EUV a China, ya que el gobierno holandés, bajo presión de Estados Unidos, bloqueó las exportaciones en 2019. Ningún sistema ha sido implementado, pero ASML continúa enviando sistemas DUV a clientes chinos. Más importante aún, desarrollar una fuente de luz es solo una parte de la construcción de un escáner EUV completo. Dichos sistemas también requieren ópticas reflectantes extremadamente precisas, mecanismos sofisticados de posicionamiento de wafers y una integración compleja en numerosos subsistemas. Las empresas chinas actualmente están produciendo en masa máquinas DUV de inmersión. Por ejemplo, Shanghai Yuliangsheng Technology está creando un láser excímero de fluoruro de argón (ArF) para producir luz DUV en una longitud de onda de 193 nm, pero el EUV aún está a años de distancia. Incluso tener una fuente de luz EUV funcional nacional no significa que China haya desarrollado un sistema completo de litografía EUV.
Fuente: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing