Samsung está colaborando con TSMC para asegurar un suministro de chips base para el nuevo anunciado estándar de memoria NVHBM de NVIDIA. Esta arquitectura integra el controlador en la pila 3D HBM, mejorando significativamente el rendimiento y la eficiencia. En comparación con HBM4E estándar, NVIDIA afirma hasta un 30% más de ancho de banda de memoria, un 15% menos de consumo de energía HBM y hasta un 25% más de área de chip de cómputo utilizable.
Un requisito clave para el chip base es el nodo de 3 nm de TSMC, obligando a Samsung a asociarse con su competidor a pesar de contar con sus propias capacidades de producción. Este acuerdo aplica solo al chip base, mientras Samsung continúa usando sus procesos de 10 nm de sexta generación para las pilas de memoria. Samsung ya ha comenzado a enviar HBM4E con velocidades de 14 Gbps por pin.
Este desarrollo aumenta significativamente la confianza en la división de Semiconductores de Samsung. Considerando la mejora de ancho de banda del 30% afirmada por NVIDIA, un solo NVHBM podría teóricamente alcanzar alrededor de 5.2 TB/s. La reducción del 15% en el consumo de energía HBM proporciona espacio térmico adicional para el chip de cómputo.
Fuente: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing