Samsung TSMC-এর সাথে অংশীদারিত্ব করে NVIDIA-এর newly announced NVHBM মেমরি স্ট্যান্ডার্ডের জন্য base die supply নিশ্চিত করতে। এই আর্কিটেকচার 3D HBM স্ট্যাকে কন্ট্রোলারকে একীভূত করে, যা কর্মক্ষমতা এবং দক্ষতা উন্নত করে। মানক HBM4E-এর তুলনায়, NVIDIA দাবি করে যে মেমরি ব্যান্ডউইথ 30% বেশি, HBM পাওয়ার ব্যবহার 15% কম, এবং usable compute die area 25% বেশি। base die-এর জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োজন হল TSMC-এর 3 ন্যানোমিটার নোড, যা Samsung-কে নিজস্ব উৎপাদন ক্ষমতা থাকা সত্তেও প্রতিদ্বন্দ্বীর সাথে অংশীদারিত্ব করতে বাধ্য করে। এই ব্যবস্থা শুধুমাত্র base die-এর জন্য প্রযোজ্য, যেখানে Samsung মেমরি স্ট্যাক্সের জন্য তার ছয়শংসংসদী প্রযুক্তি 10 ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া Proceeds চালিয়ে যায়। Samsung ইতোমধ্যে 14 Gbps পিন প্রতি গতি সহ HBM4E পাঠাতে শুরু করেছে। এই উন্নয়ন Samsung-এর Semiconductor বিভাগের বিশ্বাসকে উল্লেখযোগ্যভাবে বাড়িয়েছে। NVIDIA-এর দাবায়িত 30% ব্যান্ডউইথ উন্নয়ন বিবেচনায়, একটি একক NVHBM সিদ্ধান্তে প্রায় 5.2 টিবি/সেকেন্ড অর্জন করতে পারে। HBM পাওয়ার ড্র-এর 15% হ্রাস হিসাবে অতিরিক্ত তাপগত স্থান প্রদান করে।
উৎস: TechPowerUp News · সারাংশ: HeadlinesBriefing