YMTC, un fabricant de NAND flash, se prépare à lancer la production de masse de la mémoire LPDDR5X à des vitesses de 9,600 MT/s dans son usine Fab 3. Selon Counterpoint Research, l'entreprise produit déjà environ 5,000 plaquettes par mois de DRAM LPDDR5X de 16 Gb fonctionnant à 7,500 MT/s depuis octobre 2025. La nouvelle production utilisera la technologie de structure de cellule VCT (Transistor à Canal Vertical) 4F², donnant à YMTC un avantage significatif grâce à l'architecture silicium 3D.
Avec sa technologie Xtacking 4.0, YMTC peut séparer les plaquettes de cellules de mémoire des circuits logiques périphériques et les combiner via un empilement hybride wafer-to-wafer, permettant des transitions flexibles vers la DRAM 3D. Cela positionne YMTC, alongside CXMT, comme leader dans l'adoption de la DRAM 4F², potentiellement donner aux fabricants chinois de mémoire un léger avantage malgré les limites de la lithographie DUV. Micron a confirmé qu'elle ne poursuivra pas la DRAM 4F², restant concentrée sur les layouts 6F² jusqu'à l'arrivée de la DRAM 3D.
Une fois la DRAM 3D prête pour la production de masse, YMTC est bien positionnée pour tirer parti du changement technologique.
Source: TechPowerUp News · Résumé par HeadlinesBriefing