YMTC, производитель NAND-флеш-памяти, готовится к началу массового производства памяти LPDDR5X со скоростью 9,600 MT/s на своём заводе Fab 3. По данным Counterpoint Research, компания уже производит около 5,000 пластин в месяц DRAM LPDDR5X ёмкостью 16 Гб со скоростью 7,500 MT/s с октября 2025 года. Новое производство будет использовать технологию структуры ячейки VCT (вертикальный канал транзистор) 4F², что даёт YMTC значительное преимущество благодаря 3D-архитектуре кремния. С помощью технологии Xtacking 4.0 YMTC может разделять пластины ячеек памяти от периферических логических схем и соединять их с помощью гибридной вакуумной пайки wafer-to-wafer, обеспечивая гибкий переход к 3D DRAM. Это позиционирует YMTC вместе с CXMT как лидера в освоении DRAM 4F², что потенциально может дать китайским производителям памяти небольшое преимущество, несмотря на ограничения DUV-литографии. Micron подтвердила, что не будет развивать DRAM 4F², оставшись сосредоточенной на макетах 6F² до прихода 3D DRAM. Как только 3D DRAM будет готова к массовому производству, YMTC будет хорошо позиционирована, чтобы извлечь выгоду из технологического сдвига.
Источник: TechPowerUp News · Сводку подготовил HeadlinesBriefing