YMTC, un fabricante de NAND flash, se prepara para iniciar la producción masiva de memoria LPDDR5X con velocidades de 9,600 MT/s en su Fab 3. Según Counterpoint Research, la empresa ya está produciendo aproximadamente 5,000 wafers mensuales de DRAM LPDDR5X de 16 Gb a 7,500 MT/s desde octubre de 2025. La nueva producción utilizará la estructura de celda VCT (Transistor de Canal Vertical) 4F², otorgando a YMTC una ventaja significativa con arquitectura de silicio 3D.
Con su tecnologías Xtacking 4.0, YMTC puede separar los wafers de celdas de memoria de los circuitos lógicos periféricos y combinarlos mediante apilamiento híbrido wafer-to-wafer, permitiendo transiciones flexibles hacia DRAM 3D. Esto posiciona a YMTC, junto con CXMT, como líder en la adopción de DRAM 4F², potencialmente dando a los fabricantes chinos de memoria una leve ventaja a pesar de las limitaciones de litografía DUV. Micron ha confirmado que no persigue DRAM 4F², manteniéndose enfocado en diseños 6F² hasta que llegue el DRAM 3D.
Una vez que el DRAM 3D esté listo para producción masiva, YMTC está bien posicionada paracapitalizar el cambio tecnológico.
Fuente: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing