Micron ha decidido no comercializar el 4F² DRAM, a pesar de haber inventado el diseño de la celda y haberlo investigado durante alrededor de dos décadas. Scott DeBoer, presidente y director de tecnología y productos de Micron, anunció la decisión durante el webinar tecnológico de la empresa el 21 de octubre.
En teoría, 4F² utiliza transistores de canal vertical para reducir la huella de cada celda de memoria en aproximadamente un tercio, en comparación con el diseño de 6F² utilizado en los DRAM actuales. Sin embargo, DeBoer argumentó que la densidad real está limitada por la proximidad con la que se pueden empaquetar los condensadores, no por la huella de la celda, calificando la ventaja de densidad sobre 6F² de "una especie de mito". También dijo que 4F² se puede construir, pero a un costo y complejidad mayores, y que topa con problemas fundamentales de escalado en nodos de punta, lo que apunta hacia el 3D DRAM.
Esto pone a Micron en desacuerdo con sus rivales. Samsung y SK Hynix están desarrollando diseños 4F², y CXMT, de Corea del Sur, afirmó que su primer producto 4F² será un RDIMM DDR5 para servidores previsto para fin de año. Micron mantendrá la escala del 6F², con su nodo 1-delta programado para arrancar en Boise, Idaho, en la segunda mitad de 2027 y el nodo 1-epsilon posterior, que se trasladará a la unión de obleas. El 3D DRAM se está desarrollando como una vía paralela, pero aún no hay una fecha límite, y Micron dice que solo cambiará cuando tenga sentido económico.
Fuente: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing