Micron a décidé de ne pas apporter le 4F² DRAM au marché, bien qu'elle ait inventé le design de la cellule et l'ait étudié pendant environ deux décennies. Scott DeBoer, président et directeur des technologies et des produits de Micron, a annoncé cette décision lors du webinaire technologique de l'entreprise le 21 octobre.
Sur le papier, 4F² utilise des transistors à canal vertical pour réduire l'empreinte de chaque unité mémoire d'environ un tiers par rapport à la disposition 6F² utilisée dans les DRAM actuels. Cependant, DeBoer a argumenté que la densité réelle est limitée par la proximité avec laquelle les condensateurs peuvent être emboîtés, et non par l'empreinte de la cellule, qualifiant l'avantage de densité sur 6F² d'une "une sorte de mythe". Il a également déclaré que 4F² peut être construit, mais à un coût et une complexité supérieurs, et qu'il rencontre des problèmes fondamentaux d'agrandissement aux nœuds de pointe, ce qui oriente vers le 3D DRAM.
Cela place Micron en opposition avec ses rivaux. Samsung et SK Hynix développent tous deux des conceptions 4F², et CXMT, la société chinoise, affirme que son premier produit 4F² sera un RDIMM DDR5 serveur prévu pour la fin de cette année. Micron maintiendra l'échelle de 6F², avec son nœud 1-delta prévu pour démarrer à Boise, Idaho, dans le deuxième semestre 2027, et le nœud 1-epsilon suivant, qui sera déplacé vers l'union de wafers. Le 3D DRAM est développé comme une voie parallèle, mais il n'y a pas encore de délai, et Micron dit qu'elle ne changera qu'une fois que les économies seront avantageuses.
Source: TechPowerUp News · Résumé par HeadlinesBriefing