মাইক্রন ৪F² DRAM কে বাজারে উপস্থাপন করার জন্য অপসারণ করে দেয়, যদিও এটি সেল ডিজাইনের জন্য আবিষ্কার করেছে এবং প্রায় দুই দশক পর্যন্ত এটি গবেষণা করেছে। মাইক্রনের প্রেজিডেন্ট ও টেকনোলজি ও পণ্যের গ্যাভার্নর, স্টিউঅর্ট ডে-বোর্ট, এই সিদ্ধান্তটি ২১ অক্টোবরে কোম্পানির টেকনোলজি ওয়েবিনারে ঘোষণা করেন।
স্যামন্সিতে, ৪F² লম্বা চ্যানেল ট্রানজিস্টর ব্যবহার করে প্রতিটি মেমরি সেলের ফুটপ্রিন্টকে বর্তমানে ব্যবহৃত ৬F² লেআউটের তুলনায় প্রায় এক তৃতীয়াংশ কম করে। তবে ডে-বোর্ট দাবি করেন যে বাস্তব ঘনত্ব ক্যাপাসিটরগুলি কত নিকটেই প্যাক করা যায় তার ওপর নির্ভর করে, না কি সেলের ফুটপ্রিন্টের উপর, এবং ৬F²-এর তুলনায় ঘনত্বের সুবিধা "কিছুটা একটি মিথক" বলে উল্লেখ করেন। সে অথশ ৪F² তৈরি করা সম্ভব, কিন্তু এটি বেশি খরচ এবং জটিলতায় রয়েছে, এবং এটি লিডিং-এজ নোডের মধ্যে মৌলিক স্কেলিং সমস্যায় পড়ে, যা ৩ডি DRAM এর দিকে ইশারা করে।
এটি মাইক্রনকে তার প্রতিযোগীদের সাথে মতভেদে রাখে। সামসংগ ও SK হাইনিক্স উভয়ই ৪F² ডিজাইন উয়েকস করছে, এবং চীনা CXMT বলেছে যে তাদের প্রথম ৪F² পণ্যটি এই বছরের শেষে পর্যন্ত বিক্রি করার জন্য এক সার্ভার DDR5 RDIMM হবে। মাইক্রন ৬F²-এর স্কেলিং চালিয়ে যাবে, যার ১-ডেল্টা নোড ২০২৭ সালের দ্বিতীয় অর্ধেকে বাইজ, আইডাহোতে শুরু হবে এবং পরের ১-ইসিলন নোডটি ওয়াফার বন্ডিং-এ স্থানান্তরিত হবে। ৩ডি DRAM একটি প্যারালেল পাথ হিসেবে উয়েকস করা হচ্ছে, কিন্তু এখনও কোনো টাইমলাইন নেই, এবং মাইক্রন বলে যে এটি শুধুমাত্র যখন অর্থনৈতিকভাবে সুবিধাজনক হবে তখনই পরিবর্তন করবে।
যদি প্রতিযোগীরা ৪F²-কে প্রস্মুখিকরণে কম খরচে তৈরি করতে সক্ষম হয়, তবে এটি একটি ঝুঁকি, বিশেষ করে যে কেনিয়ার অনুমানের অনুযায়ী, ২০২৭ ও ২০২৮ সালে মেমরি সাপ্লাই আরও বেশি সীমিত হবে।
উৎস: TechPowerUp News · সারাংশ: HeadlinesBriefing