Micron telah memutuskan tidak menyertakan 4F² DRAM ke pasar, meskipun perusahaan ini telah menginventarisikan desain sel dan menelitiinya selama sekitar dua dekade. Scott DeBoer, Presiden dan Chief Technology and Products Officer Micron, mengumumkan keputusan tersebut selama webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober.
Secara teori, 4F² menggunakan transistor saluran vertikal untuk mengurangi jejak setiap sel memori sekitar satu ketiga dibandingkan dengan layout 6F² yang digunakan pada DRAM saat ini. Namun, DeBoer berargumen bahwa kepadatan riil dibatasi oleh seberapa dekat kapasitor dapat ditempatkan, bukan oleh jejak sel, dengan menyebut keuntungan kepadatan dibanding 6F² sebagai "sedikit sekali mitos". Ia juga menyatakan bahwa 4F² dapat dibangun, tetapi dengan biaya dan kompleksitas yang lebih tinggi, serta menghadapi masalah skalabilitas dasar pada node tingan, yang menunjuk pada 3D DRAM.
Hal ini menempatkan Micron bertentangan dengan rekan saingnya. Samsung dan SK Hynix keduanya sedang mengembangkan desain 4F², dan CXMT, perusahaan China, menyatakan bahwa produk pertama 4F² mereka akan menjadi RDIMM DDR5 server yang dijadwalkan dirilis akhir tahun ini. Micron akan terus mengkalikan 6F², dengan node 1-delta yang dijadwalkan dipeluncurkan di Boise, Idaho, pada kedua separuh tahun 2027, dan node 1-epsilon berikutnya yang akan dipindahkan ke wafer bonding. 3D DRAM sedang dikembangkan sebagai jalur paralel, namu belum ada jadwal, dan Micron mengatakan bahwa mereka hanya akan beralih sekali ekonomi membuat sense.
Ini adalah taruhan yang berisiko jika pesaing berhasil membuat 4F² murah pada skala, terutama dengan asumsi Micron sendiri bahwa pasokan memori akan semakin ketat pada tahun 2027 dan 2028.
Sumber: TechPowerUp News · Diringkas oleh HeadlinesBriefing