美光决定不推出4F² DRAM，尽管该公司在该单元格设计方面拥有发明权，并研究了约二十年。美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在10月21日的公司技术网络研讨会上宣布了这一决定。
从理论上看，4F²采用垂直通道晶体管，可将每个存储单元的占地面积缩小约三分之一，相较于当今使用的6F²布局。然而，DeBoer指出，实际密度受限于电容的堆叠密度，而非单元格占地，认为其对6F²的密度优势“有点幻想”。他还表示，4F²虽可实现，但成本和复杂度更高，且在领先工艺节点上存在根本性缩放问题，指向3D DRAM的发展方向。
这使美光与竞争对手形成差异。三星和SK海力斯正在开发4F²方案，中国公司CXMT表示其首款4F²产品将于本年底推出面向服务器的DDR5 RDIMM。美光将继续缩放6F²，其1-delta节点计划于2027年下半年在爱达生（Idaho）启动，随后的1-epsilon节点将采用晶圆键合技术。3D DRAM正作为并行路径开发，但尚无具体时间表，美光表示将在经济条件成熟时才会转型。
如果竞争对手成功将4F²大规模生产成本控制得较低，这将是一项风险，尤其考虑到根据美光自身预测，2027年和2028年的存储供应将进一步紧张。
来源: TechPowerUp News · 由HeadlinesBriefing整理摘要