قرر مايكرون عدم إحدثار 4F² DRAM، على الرغم من أنه اخترع تصميم الخلية وأجرى البحث عنه لمدة نحو عقدين. أعلن Scott DeBoer، الرئيس والمدير العام للتقنية والمنتجات في مايكرون، هذا القرار خلال الندوة التقنية للشركة في 21 أكتوبر.
من الناحية النظرية، يستخدم 4F² نوعًا من الترانزستورات ذات قناة عمودية لتقليل مساحة الخلية بمقدار الثلث تقريبًا مقارنة بالتخطيط 6F² المستخدم في DRAM الحالي. ومع ذلك، ادعى DeBoer أن الكثافة الفعلية محدودة بمدى تقارب الكابتيسيتورات، وليس بمساحة الخلية، مشيرًا إلى أن ميزة الكثافة على 6F² هي "شيء من الخيال". كما قال إن 4F² يمكن بناؤه، لكنه يكلف أكثر ويكون أكثر تعقيدًا، ويواجه مشاكل أساسية في التوسع عند عقد التصنيع المتقدم، مما يشير إلى اتجاه 3D DRAM.
هذا يضع مايكرون في خلاف مع منافسيه. إن سامسونج وSK هاينكس يطوران تصاميم 4F²، وتقول CXMT الصينية إن أول منتج 4F² لديها سيكون DIMM DDR5 للخوادم المقرر إطلاقه بنهاية هذا العام. سيستمر مايكرون في توسيع نطاق 6F²، مع خطة بدء عقد 1-delta في موقف بويز، أيداهو، في النصف الثاني من 2027، ويتحرك النسخة 1-epsilon التالية إلى توصيل الوفرات. يتم تطوير 3D DRAM كمسار موازٍ، لكنه لا يزال بلا جدول زمني، ويقول مايكرون إنه سيقترب من التحول فقط عندما تكون الاقتصادية مناسبة.
إذا تمكن المنافسون من جعل 4F² مناسبًا اقتصاديًا في الإنتاج الضخم، فهذا خطر، خاصة أن موفور الميوموري يتوقع أن تصبح العرض أكثر انضباطًا في 2027 و2028، وفقًا لتقديرات مايكرون الخاصة.
المصدر: TechPowerUp News · لخّصه HeadlinesBriefing