माइक्रॉन ने 4F² DRAM को बाजार में लाने का निर्णय लिया, यहीं कि उसने कोशिका डिज़ाइन के लिए आविष्कार किया था और लगभग दो दशकों तक इसकी अनुसंधान किया था। माइक्रॉन के प्रेजिडेंट और पहचान प्रॉडक्ट्स ऑफ़र ऑफ़रर, स्टुअर्ट डेबोर्ट, ने 21 अक्टूबर को कंपनी के तकनीकी वेबिनार में इस निर्णय की घोषणा की।
सिद्धांत में, 4F² लंबर चैनल ट्रांजिस्टर का उपयोग करता है ताकि प्रत्येक मेमोरी सेल की आकार को आज के 6F² लेआउट में उपयोग होने वाले डि-एम-आर की तुलना में लगभग एक तिहाई कम किया जा सके। हालाँकि, डेबोर्ट ने कहा कि वास्तविक घनत्व इस बात पर निर्भर करता है कि कैसे करीब में कैपेसिटर्स को पैक किया जा सकता है, न कि सेल के आकार पर, और 6F² के साथ घनत्व लाभ को "थोड़ा एक मिथक" कहा। उसने और भी कहा कि 4F² बनाया जा सकता है, लेकिन इसकी लागत और जटिलता अधिक होती है, और यह लीडिंग-एज ड्राइवन नोड्स पर मूलभूत स्केलिंग समस्याओं का सामना करता है, जो 3D DRAM की ओर इशारा करता है।
यह माइक्रॉन को उसके प्रतिस्पर्धीओं के साथ मतभेद देता है। सामसंग और SK हाइनिक्स दोनों ने 4F² डिज़ाइन विकसित कर रहे हैं, और चीन की CXMT ने कहा है कि उसका पहला 4F² उत्पाद इस वर्ष के अंत तक परोसने वाला एक सर्वर DDR5 RDIMM होगा। माइक्रॉन 6F² की निरंतर स्केलिंग जारी रखेगा, जिसका 1-डेल्टा नोड 2027 के दूसरे भाग में बाइज़, आइडाहो में शुरू होगा और उसके बाद का 1-ईप्सिलॉन नोड वेफ़र बांडलिंग पर निर्मित होगा। 3D DRAM एक समांत पथ के रूप में विकसित हो रहा है, लेकिन अभी तक कोई समय सीमा नहीं है, और माइक्रॉन कहता है कि वे केवल तब ही बदलेंगे जब अर्थव्यवस्था में समझ और ठोस हो।
यदि प्रतिस्पर्धी मांग में 4F² को कम लागत में पैदा करने में सफल हों, तो यह एक जोखिम है, विशेषकर यह देखते हुए कि माइक्रॉन के अपने अनुमानों के अनुसार, 2027 और 2028 में स्मार्ट मेमोरी की आपूर्ति और भी कम होगी।
स्रोत: TechPowerUp News · HeadlinesBriefing द्वारा सारांशित