Micron принял решение не выводить 4F² DRAM на рынок, несмотря на то, что компания изобрела дизайн ячейки и исследовала его в течение примерно двух десятилетий. Скотт ДеБоер, президент и главный технологический и продуктовый директор Micron, объявил об этом решении во время технологического вебинара компании 21 октября.
На бумаге 4F² использует вертикальные транзисторы канала для сокращения площади каждой ячейки памяти примерно на треть по сравнению с макетом 6F², используемым в современных DRAM. Однако ДеБоер аргументировал, что реальная плотность ограничена тем, насколько близко могут быть упакованы конденсаторы, а не площадью ячейки, назвав преимущество плотности над 6F² «немного иллюзией». Он также сказал, что 4F² может быть построен, но при более высокой стоимости и сложности, и что он сталкивается с фундаментальными проблемами масштабирования на передовых узлах, что указывает на 3D DRAM.
Это ставит Micron в неприятие с его конкурентами. Samsung и SK Hynix оба разрабатывают дизайны 4F², а китайская CXMT заявила, что её первый продукт 4F² будет серверным RDIMM DDR5, запланированным к выпуску к концу этого года. Micron продолжит масштабирование 6F², с планами запуска узла 1-delta во Вайсе, Айдано, во второй половине 2027 года, а последующий узел 1-epsilon будет перемещён на склеивание диэлектриков. 3D DRAM разрабатывается как параллельный путь, но пока нет сроков, и Micron говорит, что переключится только тогда, когда экономика сделает это оправданным.
Это рискованная ставка, если конкуренты смогут сделать 4F² дешёвым при масштабном производстве, особенно с учётом того, что по собственным оценкам Micron, поставка памяти будет ещё более ограничена в 2027 и 2028 годах.
Источник: TechPowerUp News · Сводку подготовил HeadlinesBriefing