中国NAND闪存制造商YMTC正准备在其Fab 3工厂启动LPDDR5X内存的量产，速度达到9,600 MT/s。据Counterpoint Research报告，自2025年10月起，该公司已开始每月生产约5,000片16 Gb LPDDR5X DRAM晶圆，运行速度为7,500 MT/s。新产线将采用垂直沟道晶体管（VCT）4F²单元结构技术，使YMTC在3D硅架构方面获得显著优势。凭借Xtacking 4.0技术，YMTC可将存储单元晶圆与外围逻辑电路分离，并通过混合键合晶圆对晶圆堆叠技术进行整合，实现向3D DRAM的灵活过渡。这使YMTC与CXMT一同成为4F² DRAM领域的领导者，尽管受限于DUV光刻技术，仍可能为中国存储芯片企业带来微弱优势。美光已确认不会采用4F² DRAM，将继续专注于6F²布局，直至3D DRAM成熟。一旦3D DRAM进入量产阶段，YMTC将处于有利地位，有望在技术变革中抢占先机。
来源: TechPowerUp News · 由HeadlinesBriefing整理摘要