Samsung HBM4E Passes Testing for NVIDIA's "Rubin Ultra" GPU

Samsung's upcoming HBM4E memory has reportedly passed testing for NVIDIA's next-generation "Rubin Ultra" AI GPU accelerator family. This is great news for the company, as its previous HBM3E didn't meet NVIDIA's requirements, leading NVIDIA to choose Samsung for GDDR7 only, instead of HBM3E.

The new HBM generation brings significant advancements, and Samsung is one of the leading manufacturers with designs currently running at 14 Gbps per pin and 2,048 pins per HBM4E stack. Samsung can achieve a maximum bandwidth of 3.6 TB/s, and at 16 Gbps, this maximum memory bandwidth will increase to 4 TB/s for a single HBM4E stack. With about a dozen memory stacks per AI accelerator or GPU, the total memory bandwidth will be remarkable.

The company is currently offering this memory in a 12-layer configuration with a memory density of 48 GB per stack. However, customer requirements will also include 8-layer 32 GB and 16-layer 64 GB stacks in the future. For manufacturing this HBM4E, Samsung has been sending out samples since May of this year, and the total volume production is expected to be around 20,000 wafers per month in 2026, doubling to 50,000 wafers per month in 2027.

For base die manufacturing, the company has reportedly allocated half of its 4 nm SF4 node production to HBM4E base die manufacturing. This indicates high customer interest in technologies like NVHBM, suggesting we could see designs that are more customized than before.

ذكرت التقارير أن ذاكرة HBM4E القادمة من Samsung قد اجتازت اختبارات عائلة مسرعات AI GPU "Rubin Ultra" من الجيل التالي من NVIDIA. هذه أخبار رائعة للشركة، حيث أن HBM3E السابقة لم تلب متطلبات NVIDIA، مما دفع NVIDIA لاختيار Samsung فقط لـ GDDR7 بدلاً من HBM3E.

يجلب جيل HBM الجديد تقدمًا كبيرًا، وSamsung هي واحدة من الشركات المصنعة الرائدة بتصميمات تعمل حاليًا بسرعة 14 Gbps لكل دبوس و2,048 دبوسًا لكل كومة HBM4E. يمكن لـ Samsung تحقيق أقصى عرض نطاق يبلغ 3.6 TB/s، وعند 16 Gbps، سيزيد هذا الحد الأقصى لعرض نطاق الذاكرة إلى 4 TB/s لكومة HBM4E واحدة. مع حوالي اثنتي عشرة كومة ذاكرة لكل مسرع AI أو GPU، سيكون إجمالي عرض نطاق الذاكرة ملحوظًا.

تقدم الشركة حاليًا هذه الذاكرة بتكوين 12 طبقة بكثافة ذاكرة 48 GB لكل كومة. ومع ذلك، ستشمل متطلبات العملاء أيضًا أكوامًا من 8 طبقات بسعة 32 GB و16 طبقة بسعة 64 GB في المستقبل. لتصنيع هذا HBM4E، كانت Samsung ترسل عينات منذ مايو من هذا العام، ومن المتوقع أن يصل إجمالي الإنتاج إلى حوالي 20,000 رقاقة شهريًا في 2026، ليتضاعف إلى 50,000 رقاقة شهريًا في 2027.

بالنسبة لتصنيع القاعدة الأساسية، ذكرت التقارير أن الشركة خصصت نصف إنتاج عقدة SF4 بحجم 4 نانومتر لتصنيع قاعدة HBM4E. يشير هذا إلى اهتمام كبير من العملاء بتقنيات مثل NVHBM، مما يوحي بأننا قد نشهد تصميمات أكثر تخصيصًا من ذي قبل.

الكيانات الرئيسية: الشركات: Samsung، NVIDIA

Samsung-এর আসন্ন HBM4E মেমরি reportedly NVIDIA-এর পরবর্তী প্রজন্মের "Rubin Ultra" AI GPU এক্সিলারেটর পরিবারের পরীক্ষায় উত্তীর্ণ হয়েছে। এটি কোম্পানির জন্য খুবই ভালো খবর, কারণ এর আগের HBM3E NVIDIA-এর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে পারেনি, যার ফলে NVIDIA HBM3E-এর পরিবর্তে শুধুমাত্র GDDR7-এর জন্য Samsung-কে বেছে নেয়।

নতুন HBM প্রজন্ম উল্লেখযোগ্য অগ্রগতি নিয়ে আসে, এবং Samsung শীর্ষস্থানীয় নির্মাতাদের মধ্যে একটি যার ডিজাইন বর্তমানে প্রতি পিনে 14 Gbps এবং প্রতি HBM4E স্ট্যাকে 2,048 পিনে চলছে। Samsung সর্বোচ্চ ব্যান্ডউইথ 3.6 TB/s অর্জন করতে পারে, এবং 16 Gbps-এ, একটি একক HBM4E স্ট্যাকের জন্য এই সর্বোচ্চ মেমরি ব্যান্ডউইথ 4 TB/s-এ বৃদ্ধি পাবে। প্রতি AI এক্সিলারেটর বা GPU-তে প্রায় এক ডজন মেমরি স্ট্যাকের সাথে, মোট মেমরি ব্যান্ডউইথ অসাধারণ হবে।

কোম্পানি বর্তমানে এই মেমরি 12-স্তর কনফিগারেশনে প্রতি স্ট্যাকে 48 GB মেমরি ঘনত্বের সাথে অফার করছে। তবে, গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তায় ভবিষ্যতে 8-স্তর 32 GB এবং 16-স্তর 64 GB স্ট্যাকও অন্তর্ভুক্ত থাকবে। এই HBM4E তৈরির জন্য, Samsung এই বছরের মে মাস থেকে নমুনা পাঠাচ্ছে, এবং মোট ভলিউম উৎপাদন 2026 সালে প্রতি মাসে প্রায় 20,000 ওয়েফার হবে বলে আশা করা হচ্ছে, যা 2027 সালে দ্বিগুণ হয়ে প্রতি মাসে 50,000 ওয়েফার হবে।

বেস ডাই তৈরির জন্য, কোম্পানি reportedly তার 4 nm SF4 নোড উৎপাদনের অর্ধেক HBM4E বেস ডাই তৈরির জন্য বরাদ্দ করেছে। এটি NVHBM-এর মতো প্রযুক্তিতে উচ্চ গ্রাহক আগ্রহ নির্দেশ করে, যা পরামর্শ দেয় যে আমরা আগের চেয়ে আরও কাস্টমাইজড ডিজাইন দেখতে পেতে পারি।

মূল সত্তা: কোম্পানি: Samsung, NVIDIA

Samsungs bevorstehender HBM4E-Speicher hat Berichten zufolge die Tests für NVIDIAs nächste Generation der „Rubin Ultra“ AI-GPU-Beschleunigerfamilie bestanden. Dies ist eine großartige Nachricht für das Unternehmen, da sein früherer HBM3E die Anforderungen von NVIDIA nicht erfüllte, was dazu führte, dass NVIDIA Samsung nur für GDDR7 und nicht für HBM3E auswählte.

Die neue HBM-Generation bringt bedeutende Fortschritte, und Samsung ist einer der führenden Hersteller mit Designs, die derzeit mit 14 Gbps pro Pin und 2.048 Pins pro HBM4E-Stack laufen. Samsung kann eine maximale Bandbreite von 3.6 TB/s erreichen, und bei 16 Gbps erhöht sich diese maximale Speicherbandbreite auf 4 TB/s für einen einzelnen HBM4E-Stack. Mit etwa einem Dutzend Speicherstapeln pro AI-Beschleuniger oder GPU wird die gesamte Speicherbandbreite bemerkenswert sein.

Das Unternehmen bietet diesen Speicher derzeit in einer 12-Schicht-Konfiguration mit einer Speicherdichte von 48 GB pro Stack an. Kundenanforderungen werden jedoch in Zukunft auch 8-Schicht-32-GB- und 16-Schicht-64-GB-Stacks umfassen. Für die Herstellung dieses HBM4E versendet Samsung seit Mai dieses Jahres Muster, und die Gesamtproduktion wird voraussichtlich bei etwa 20.000 Wafern pro Monat im Jahr 2026 liegen und sich im Jahr 2027 auf 50.000 Wafer pro Monat verdoppeln.

Für die Herstellung des Basis-Dies hat das Unternehmen Berichten zufolge die Hälfte seiner 4-nm-SF4-Knotenproduktion für die HBM4E-Basis-Die-Herstellung reserviert. Dies deutet auf ein hohes Kundeninteresse an Technologien wie NVHBM hin, was darauf hindeutet, dass wir möglicherweise stärker individualisierte Designs sehen werden als zuvor.

Wichtige Entitäten: Unternehmen: Samsung, NVIDIA

La próxima memoria HBM4E de Samsung ha superado, según informes, las pruebas para la familia de aceleradores AI GPU "Rubin Ultra" de próxima generación de NVIDIA. Esta es una gran noticia para la empresa, ya que su HBM3E anterior no cumplió con los requisitos de NVIDIA, lo que llevó a NVIDIA a elegir a Samsung solo para GDDR7, en lugar de HBM3E.

La nueva generación HBM trae avances significativos, y Samsung es uno de los principales fabricantes con diseños que actualmente funcionan a 14 Gbps por pin y 2,048 pines por pila HBM4E. Samsung puede lograr un ancho de banda máximo de 3.6 TB/s, y a 16 Gbps, este ancho de banda máximo de memoria aumentará a 4 TB/s para una sola pila HBM4E. Con aproximadamente una docena de pilas de memoria por acelerador AI o GPU, el ancho de banda total de memoria será notable.

La empresa actualmente ofrece esta memoria en una configuración de 12 capas con una densidad de memoria de 48 GB por pila. Sin embargo, los requisitos del cliente también incluirán pilas de 8 capas de 32 GB y 16 capas de 64 GB en el futuro. Para fabricar este HBM4E, Samsung ha estado enviando muestras desde mayo de este año, y se espera que la producción total sea de alrededor de 20,000 obleas por mes en 2026, duplicándose a 50,000 obleas por mes en 2027.

Para la fabricación del dado base, la empresa supuestamente ha asignado la mitad de su producción de nodo SF4 de 4 nm a la fabricación del dado base HBM4E. Esto indica un alto interés del cliente en tecnologías como NVHBM, lo que sugiere que podríamos ver diseños más personalizados que antes.

Entidades clave: Empresas: Samsung, NVIDIA

La mémoire HBM4E à venir de Samsung aurait réussi les tests de la famille d'accélérateurs AI GPU « Rubin Ultra » de nouvelle génération de NVIDIA. C'est une excellente nouvelle pour l'entreprise, car sa précédente HBM3E ne répondait pas aux exigences de NVIDIA, ce qui a conduit NVIDIA à choisir Samsung uniquement pour la GDDR7, plutôt que pour la HBM3E.

La nouvelle génération HBM apporte des avancées significatives, et Samsung est l'un des principaux fabricants avec des conceptions fonctionnant actuellement à 14 Gbps par broche et 2,048 broches par pile HBM4E. Samsung peut atteindre une bande passante maximale de 3.6 TB/s, et à 16 Gbps, cette bande passante mémoire maximale passera à 4 TB/s pour une seule pile HBM4E. Avec environ une douzaine de piles mémoire par accélérateur AI ou GPU, la bande passante mémoire totale sera remarquable.

L'entreprise propose actuellement cette mémoire dans une configuration à 12 couches avec une densité mémoire de 48 Go par pile. Cependant, les exigences des clients incluront également des piles à 8 couches de 32 Go et à 16 couches de 64 Go à l'avenir. Pour fabriquer ce HBM4E, Samsung envoie des échantillons depuis mai de cette année, et la production totale devrait atteindre environ 20 000 tranches par mois en 2026, doublant à 50 000 tranches par mois en 2027.

Pour la fabrication de la puce de base, l'entreprise aurait alloué la moitié de sa production de nœud SF4 de 4 nm à la fabrication de la puce de base HBM4E. Cela indique un intérêt élevé des clients pour des technologies comme NVHBM, suggérant que nous pourrions voir des conceptions plus personnalisées qu'auparavant.

Entités clés : Entreprises : Samsung, NVIDIA

Samsung के आगामी HBM4E मेमोरी ने कथित तौर पर NVIDIA के अगली पीढ़ी के "Rubin Ultra" AI GPU एक्सेलेरेटर परिवार के परीक्षण पास कर लिए हैं। यह कंपनी के लिए बहुत अच्छी खबर है, क्योंकि इसका पिछला HBM3E NVIDIA की आवश्यकताओं को पूरा नहीं कर पाया था, जिसके कारण NVIDIA ने HBM3E के बजाय केवल GDDR7 के लिए Samsung को चुना।

नई HBM पीढ़ी महत्वपूर्ण प्रगति लाती है, और Samsung प्रमुख निर्माताओं में से एक है जिसके डिज़ाइन वर्तमान में प्रति पिन 14 Gbps और प्रति HBM4E स्टैक 2,048 पिन पर चल रहे हैं। Samsung अधिकतम बैंडविड्थ 3.6 TB/s प्राप्त कर सकता है, और 16 Gbps पर, एकल HBM4E स्टैक के लिए यह अधिकतम मेमोरी बैंडविड्थ 4 TB/s तक बढ़ जाएगी। प्रति AI एक्सेलेरेटर या GPU में लगभग एक दर्जन मेमोरी स्टैक के साथ, कुल मेमोरी बैंडविड्थ उल्लेखनीय होगी।

कंपनी वर्तमान में इस मेमोरी को 12-लेयर कॉन्फ़िगरेशन में प्रति स्टैक 48 GB की मेमोरी घनत्व के साथ पेश कर रही है। हालांकि, ग्राहक आवश्यकताओं में भविष्य में 8-लेयर 32 GB और 16-लेयर 64 GB स्टैक भी शामिल होंगे। इस HBM4E के निर्माण के लिए, Samsung इस वर्ष मई से नमूने भेज रहा है, और कुल वॉल्यूम उत्पादन 2026 में प्रति माह लगभग 20,000 वेफर्स होने की उम्मीद है, जो 2027 में दोगुना होकर प्रति माह 50,000 वेफर्स हो जाएगा।

बेस डाई निर्माण के लिए, कंपनी ने कथित तौर पर अपने 4 nm SF4 नोड उत्पादन का आधा हिस्सा HBM4E बेस डाई निर्माण के लिए आवंटित किया है। यह NVHBM जैसी तकनीकों में उच्च ग्राहक रुचि को इंगित करता है, जो सुझाव देता है कि हम पहले की तुलना में अधिक अनुकूलित डिज़ाइन देख सकते हैं।

प्रमुख संस्थाएं: कंपनियां: Samsung, NVIDIA

Memori HBM4E Samsung yang akan datang dilaporkan telah lolos pengujian untuk keluarga akselerator AI GPU "Rubin Ultra" generasi berikutnya dari NVIDIA. Ini adalah kabar baik bagi perusahaan, karena HBM3E sebelumnya tidak memenuhi persyaratan NVIDIA, yang menyebabkan NVIDIA memilih Samsung hanya untuk GDDR7, bukan HBM3E.

Generasi HBM baru membawa kemajuan signifikan, dan Samsung adalah salah satu produsen terkemuka dengan desain yang saat ini berjalan pada 14 Gbps per pin dan 2.048 pin per tumpukan HBM4E. Samsung dapat mencapai bandwidth maksimum 3.6 TB/s, dan pada 16 Gbps, bandwidth memori maksimum ini akan meningkat menjadi 4 TB/s untuk satu tumpukan HBM4E. Dengan sekitar selusin tumpukan memori per akselerator AI atau GPU, total bandwidth memori akan luar biasa.

Perusahaan saat ini menawarkan memori ini dalam konfigurasi 12 lapis dengan kepadatan memori 48 GB per tumpukan. Namun, persyaratan pelanggan juga akan mencakup tumpukan 8 lapis 32 GB dan 16 lapis 64 GB di masa mendatang. Untuk memproduksi HBM4E ini, Samsung telah mengirimkan sampel sejak Mei tahun ini, dan total produksi volume diperkirakan sekitar 20.000 wafer per bulan pada 2026, dua kali lipat menjadi 50.000 wafer per bulan pada 2027.

Untuk pembuatan base die, perusahaan dilaporkan telah mengalokasikan setengah dari produksi node SF4 4 nm-nya untuk pembuatan base die HBM4E. Ini menunjukkan minat pelanggan yang tinggi pada teknologi seperti NVHBM, yang menunjukkan bahwa kita mungkin melihat desain yang lebih disesuaikan dari sebelumnya.

Entitas kunci: Perusahaan: Samsung, NVIDIA

Samsungの次期HBM4Eメモリが、NVIDIAの次世代「Rubin Ultra」AI GPUアクセラレータファミリーのテストに合格したと報じられています。これは同社にとって素晴らしいニュースです。以前のHBM3EがNVIDIAの要件を満たさず、NVIDIAがHBM3EではなくGDDR7のみにSamsungを選んだからです。

新しいHBM世代は大きな進歩をもたらし、Samsungは現在、ピンあたり14 Gbps、HBM4Eスタックあたり2,048ピンで動作する設計を持つ主要メーカーの1つです。Samsungは最大帯域幅3.6 TB/sを達成でき、16 Gbpsでは、単一のHBM4Eスタックでこの最大メモリ帯域幅は4 TB/sに増加します。AIアクセラレータまたはGPUあたり約12個のメモリスタックを搭載すると、総メモリ帯域幅は驚異的になります。

同社は現在、このメモリを12層構成で提供しており、スタックあたりのメモリ密度は48 GBです。ただし、顧客の要件には、将来的に8層32 GBおよび16層64 GBのスタックも含まれます。このHBM4Eを製造するために、Samsungは今年5月からサンプルを送り出しており、総量産は2026年に月間約20,000ウェーハ、2027年に月間50,000ウェーハに倍増すると予想されています。

ベースダイの製造については、同社は4 nm SF4ノード生産の半分をHBM4Eベースダイ製造に割り当てたと報じられています。これはNVHBMなどの技術に対する顧客の高い関心を示しており、これまで以上にカスタマイズされた設計が見られる可能性を示唆しています。

主要エンティティ：企業：Samsung、NVIDIA

A próxima memória HBM4E da Samsung passou, segundo relatos, nos testes da família de aceleradores AI GPU "Rubin Ultra" de próxima geração da NVIDIA. Esta é uma ótima notícia para a empresa, já que sua HBM3E anterior não atendeu aos requisitos da NVIDIA, levando a NVIDIA a escolher a Samsung apenas para GDDR7, em vez de HBM3E.

A nova geração HBM traz avanços significativos, e a Samsung é um dos principais fabricantes com designs atualmente rodando a 14 Gbps por pino e 2.048 pinos por pilha HBM4E. A Samsung pode atingir uma largura de banda máxima de 3.6 TB/s, e a 16 Gbps, essa largura de banda máxima de memória aumentará para 4 TB/s para uma única pilha HBM4E. Com cerca de uma dúzia de pilhas de memória por acelerador AI ou GPU, a largura de banda total de memória será notável.

A empresa está atualmente oferecendo esta memória em uma configuração de 12 camadas com densidade de memória de 48 GB por pilha. No entanto, os requisitos dos clientes também incluirão pilhas de 8 camadas de 32 GB e 16 camadas de 64 GB no futuro. Para fabricar este HBM4E, a Samsung vem enviando amostras desde maio deste ano, e a produção total deve ser de cerca de 20.000 wafers por mês em 2026, dobrando para 50.000 wafers por mês em 2027.

Para a fabricação do die base, a empresa supostamente alocou metade de sua produção de nó SF4 de 4 nm para a fabricação do die base HBM4E. Isso indica alto interesse dos clientes em tecnologias como NVHBM, sugerindo que podemos ver designs mais personalizados do que antes.

Entidades-chave: Empresas: Samsung, NVIDIA

Сообщается, что предстоящая память HBM4E от Samsung прошла тестирование для семейства AI GPU-ускорителей следующего поколения NVIDIA «Rubin Ultra». Это отличная новость для компании, поскольку ее предыдущая HBM3E не соответствовала требованиям NVIDIA, что привело к тому, что NVIDIA выбрала Samsung только для GDDR7, а не для HBM3E.

Новое поколение HBM приносит значительные улучшения, и Samsung является одним из ведущих производителей с конструкциями, работающими в настоящее время на скорости 14 Гбит/с на контакт и 2 048 контактов на стек HBM4E. Samsung может достичь максимальной пропускной способности 3,6 ТБ/с, а при 16 Гбит/с эта максимальная пропускная способность памяти увеличится до 4 ТБ/с для одного стека HBM4E. При наличии примерно дюжины стеков памяти на один AI-ускоритель или GPU общая пропускная способность памяти будет впечатляющей.

В настоящее время компания предлагает эту память в 12-слойной конфигурации с плотностью памяти 48 ГБ на стек. Однако требования клиентов в будущем также будут включать 8-слойные стеки по 32 ГБ и 16-слойные стеки по 64 ГБ. Для производства этого HBM4E Samsung отправляет образцы с мая этого года, и ожидается, что общий объем производства составит около 20 000 пластин в месяц в 2026 году, удвоившись до 50 000 пластин в месяц в 2027 году.

Для производства базового кристалла компания, как сообщается, выделила половину своего производства на узле SF4 с техпроцессом 4 нм для производства базового кристалла HBM4E. Это указывает на высокий интерес клиентов к таким технологиям, как NVHBM, что позволяет предположить, что мы можем увидеть более кастомизированные конструкции, чем раньше.

Ключевые субъекты: Компании: Samsung, NVIDIA

三星即将推出的HBM4E内存据报道已通过NVIDIA下一代“Rubin Ultra”AI GPU加速器家族的测试。这对公司来说是个好消息，因为其之前的HBM3E未能满足NVIDIA的要求，导致NVIDIA仅选择三星用于GDDR7，而非HBM3E。

新的HBM世代带来了显著进步，三星是领先制造商之一，其设计目前运行在每引脚14 Gbps，每个HBM4E堆栈有2,048个引脚。三星可实现最大带宽3.6 TB/s，在16 Gbps时，单个HBM4E堆栈的最大内存带宽将增加到4 TB/s。每个AI加速器或GPU约有十几个内存堆栈，总内存带宽将非常可观。

该公司目前以12层配置提供此内存，每堆栈内存密度为48 GB。然而，客户需求未来还将包括8层32 GB和16层64 GB堆栈。为制造此HBM4E，三星自今年5月起已发送样品，预计总产量在2026年达到每月约20,000片晶圆，2027年翻倍至每月50,000片晶圆。

对于基础芯片制造，据报道该公司已将其4纳米SF4节点产量的一半分配给HBM4E基础芯片制造。这表明客户对NVHBM等技术兴趣浓厚，暗示我们可能看到比以往更定制化的设计。

关键实体：公司：Samsung，NVIDIA