SK hynix transfère rapidement sa capacité de production de DRAM vers le nœud avancé 1c, une technologie de sixième génération de classe 10 nm. Au premier trimestre 2026, le nœud 1c représentait 10 % de la production, passant à 13 % au deuxième trimestre, et devrait atteindre 24 % au troisième trimestre et 34 % au quatrième. D'ici le premier trimestre 2027, le 1c devrait représenter 35 % de la production, dépassant le nœud 1b de cinquième génération à 33 %.

Contrairement aux nœuds logiques, l'échelle de DRAM repose sur des raffinements de la technologie 10 nm utilisant des couches EUV supplémentaires. Le nœud dominant 1b opère à 12-13 nm avec quatre couches EUV, tandis que 1c se réduit à 11-12 nm avec cinq à six couches. SK hynix prévoit d'utiliser le 1c pour HBM4E, LPDDR6 et DDR5, tandis que le 1b supporte DDR5, LPDDR5X, HBM3E et HBM4.

En comparaison, Samsung exploite actuellement le 1c sur seulement 16 % de sa production, et Micron à 19 %. SK hynix est prête à surpasser les deux concurrents d'ici le quatrième trimestre. Pour l'avenir, la société explore les transistors à porte verticale 4F² et le empilement 3D de DRAM pour surmonter les limites physiques des layouts plans traditionnels 6F², bien que le 1c reste un nœud clé pour les années à venir.

Entités clés : Entreprises : SK hynix, Samsung, Micron | Localisations : Corée du Sud

FAQ : Quand le nœud DRAM 1c de SK hynix deviendra-t-il son nœud de production dominant ?

SK hynix prévoit que le nœud 1c atteindra 35 % de la production d'ici le premier trimestre 2027, dépassant le nœud 1b à 33 %.

Question FAQ : Quand le nœud DRAM 1c de SK hynix deviendra-t-il son nœud de production dominant ?

Réponse FAQ : SK hynix prévoit que le nœud 1c atteindra 35 % de la production d'ici le premier trimestre 2027, dépassant le nœud 1b à 33 %.