एसके हाइनिक्स अपने DRAM उत्पादन क्षमता को उन्नत 1c नोड, छठी पीढ़ी की 10 नैनोमीटर वर्ग प्रौद्योगिकी में तेजी से स्थानांतरित कर रहा है। 2026 की पहली तिमाही में, 1c नोड ने उत्पादन का 10% हिस्सा लिया, जो दूसरी तिमाही में बढ़कर 13% हो गया, और तीसरी तिमाही में 24% और चौथी तिमाही में 34% तक पहुंचने की उम्मीद है। 2027 की पहली तिमाही तक, 1c उत्पादन का 35% हिस्सा होने का अनुमान है, जो पांचवीं पीढ़ी के 1b नोड (33%) से आगे निकल जाएगा।

लॉजिक नोड्स के विपरीत, DRAM स्केलिंग अतिरिक्त EUV परतों का उपयोग करके 10 नैनोमीटर प्रौद्योगिकी के परिष्कार पर निर्भर करती है। प्रमुख 1b नोड 12-13 नैनोमीटर पर चार EUV परतों के साथ काम करता है, जबकि 1c पांच से छह परतों के साथ 11-12 नैनोमीटर तक सिकुड़ जाता है। एसके हाइनिक्स 1c का उपयोग HBM4E, LPDDR6 और DDR5 के लिए करने की योजना बना रहा है, जबकि 1b DDR5, LPDDR5X, HBM3E और HBM4 का समर्थन करता है।

तुलनात्मक रूप से, सैमसंग वर्तमान में केवल 16% उत्पादन पर 1c चला रहा है, और माइक्रॉन 19% पर है। एसके हाइनिक्स चौथी तिमाही तक दोनों प्रतिस्पर्धियों को पीछे छोड़ने के लिए तैयार है। आगे देखते हुए, कंपनी पारंपरिक 6F² प्लेनर लेआउट की भौतिक सीमाओं को दूर करने के लिए 4F² वर्टिकल गेट ट्रांजिस्टर और 3डी DRAM स्टैकिंग का पता लगा रही है, हालांकि 1c वर्षों तक एक प्रमुख नोड बना रहेगा।

मुख्य संस्थाएं: कंपनियां: एसके हाइनिक्स, सैमसंग, माइक्रॉन | स्थान: दक्षिण कोरिया

सामान्य प्रश्न: एसके हाइनिक्स का 1c DRAM नोड कब अपना प्रमुख उत्पादन नोड बन जाएगा?

एसके हाइनिक्स का अनुमान है कि 1c नोड 2027 की पहली तिमाही तक उत्पादन का 35% हिस्सा बन जाएगा, जो 1b नोड (33%) से आगे निकल जाएगा।

सामान्य प्रश्न: एसके हाइनिक्स का 1c DRAM नोड कब अपना प्रमुख उत्पादन नोड बन जाएगा?

उत्तर: एसके हाइनिक्स का अनुमान है कि 1c नोड 2027 की पहली तिमाही तक उत्पादन का 35% हिस्सा बन जाएगा, जो 1b नोड (33%) से आगे निकल जाएगा।