SK 海力士正在迅速将其 DRAM 产能转向先进的 1c 节点，即第六代 10 纳米级技术。2026 年第一季度，1c 节点占产量的 10%，第二季度上升至 13%，预计第三季度将达到 24%，第四季度将达到 34%。到 2027 年第一季度，1c 预计将占产量的 35%，超过第五代 1b 节点（33%）。

与逻辑节点不同，DRAM 缩放依赖于通过增加 EUV 层来改进 10 纳米技术。主导的 1b 节点在 12-13 纳米范围内运行，使用四层 EUV，而 1c 则缩小至 11-12 纳米，使用五到六层。SK 海力士计划使用 1c 技术生产 HBM4E、LPDDR6 和 DDR5，而 1b 支持 DDR5、LPDDR5X、HBM3E 和 HBM4。

相比之下，三星目前仅以 16% 的产量运行 1c，美光为 19%。SK 海力士计划在第四季度超越这两家竞争对手。展望未来，该公司正在探索 4F² 垂直门晶体管和 3D DRAM 堆叠技术，以克服传统 6F² 平面布局的物理极限，尽管 1c 将在未来几年内保持关键节点地位。

关键实体：公司：SK 海力士、三星、美光 | 地点：韩国