SK hynix está transfiriendo rápidamente su capacidad de producción de DRAM al nodo avanzado 1c, tecnología de sexta generación de clase 10 nm. En el primer trimestre de 2026, el nodo 1c representó el 10 % de la producción, aumentando al 13 % en el segundo trimestre, y se espera que alcance el 24 % en el tercer trimestre y el 34 % en el cuarto. Para el primer trimestre de 2027, se prevé que el 1c represente el 35 % de la producción, superando al nodo 1b de quinta generación, que es del 33 %.

A diferencia de los nodos lógicos, la escalabilidad de DRAM depende de mejoras en la tecnología de 10 nm mediante el uso de capas EUV adicionales. El nodo dominante 1b opera a 12-13 nm con cuatro capas EUV, mientras que el 1c se reduce a 11-12 nm con cinco a seis capas. SK hynix planea utilizar el 1c para HBM4E, LPDDR6 y DDR5, mientras que el 1b soporta DDR5, LPDDR5X, HBM3E y HBM4.

En comparación, Samsung actualmente opera el 1c en solo el 16 % de su producción, y Micron en el 19 %. SK hynix está preparada para superar a ambos competidores para el cuarto trimestre. De cara al futuro, la compañía está explorando transistores de puerta vertical 4F² y apilamiento 3D de DRAM para superar los límites físicos de los diseños planos tradicionales de 6F², aunque el 1c seguirá siendo un nodo clave durante años.

Entidades clave: Empresas: SK hynix, Samsung, Micron | Ubicaciones: Corea del Sur

Pregunta frecuente: ¿Cuándo se convertirá el nodo DRAM 1c de SK hynix en su nodo de producción dominante?

SK hynix espera que el nodo 1c alcance el 35 % de la producción en el primer trimestre de 2027, superando al nodo 1b, que es del 33 %.

Pregunta frecuente: ¿Cuándo se convertirá el nodo DRAM 1c de SK hynix en su nodo de producción dominante?

Respuesta frecuente: SK hynix espera que el nodo 1c alcance el 35 % de la producción en el primer trimestre de 2027, superando al nodo 1b, que es del 33 %.