Согласно инженеру по разработке процессов в Институте будущих технологий SK hynix, который говорил с Damnang, SK hynix reportedly сталкивается с проблемами в разработке технологии гибридного связывания для памяти HBM. Эти проблемы достаточно серьезны, чтобы SK hynix еще не начал производство образцов, в то время как Samsung reportedly уже отправил образцы HBM, произведенные с использованием гибридного связывания, клиентам.
Если это правда, это представляет серьезный откат для SK hynix, чья память HBM занимает лидирующие позиции в глобальной рыночной долей доходов. Это может потенциально привести к потере доли рынка среди клиентов, которым требуются большие емкости, лучшая производительность и более продвинутые технологии от своих поставщиков HBM.
Для тех, кто не знаком, гибридное связывание создает постоянную связь между двумя кремниевыми чипами с помощью вмонтированных металлических бумпов, которые соединяются для формирования одного чипа. Несколько dies или целых кремниевых пластин могут соединяться путем stacking задних концов двух чипов вместе. Эта технология исключает традиционные бумпы чипов и напрямую соединяет межсетевые соединения меди между двумя чипами.
В сущности, гибридное связывание может создавать более короткие расстояния, снижая задержку и улучшая производительность, снижая искажения сигнала и предлагая множество других преимуществ. Зависит ли это от влияния на долю рынка SK hynix, потребности клиентов и их соответственно мнений. Например, среди поставок HBM, которые сейчас доминируют HBM3E и HBM4, SK hynix является leading manufacturer с долей рынка 50%, в то время как Samsung владеет 33%. SK hynix испытал незначительное снижение, поскольку компания ранее захватывала 64% от глобальных расходов на память HBM, но теперь снизилась до 50% по мере того, как Samsung набирает обороты.
Источник: TechPowerUp News · Сводку подготовил HeadlinesBriefing