وفقاً لمهندس تطوير العمليات في معهد بحوث التكنولوجيا المستقبلية لـ SK hynix، الذي أجرى مقابلة مع Damnang، يُزعم أن SK hynix يواجه تحديات في تطوير تكنولوجيا الربط الهجين لذاكرة HBM. هذه المشكلات كبيرة بما يكفي لكون SK hynix لم يبدأ بعد إنتاج العينات، بينما يُزعم أن Samsung أرسل بالفعل عينات HBM تم تصنيعها باستخدام الربط الهجري إلى العملاء.
إذا كان ذلك صحيحاً، فهذا يمثل انتكاسة كبيرة لـ SK hynix، whose HBM حاز على الصدارة في حصة السوق العالمية من حيث الإيرادات. هذا قد يؤدي محتملاً إلى فقدان حصة السوق بين العملاء الذين يتطلبون سعات أكبر، أداء أفضل، وتقنيات أكثر تقدمًا من موردي HBM لديهم.
أما لأولئك غير familiar، فالربط الهجين يخلق رابطة دائمة بين دوائين من السيليكون باستخدام نتوءات معدنية مضمرة يتم دمجها معاً لتشكيل شريحة واحدة. يمكن ربط عدة Dies أو الواح سيليكون كاملة عن طريق تجميع الأطراف الخلفية لاثنين من الرقائق معاً. هذه التكنولوجيا تلغي النتوءات التقليدية للأجهزة وتربط التوصيلات النحاسية مباشرة بين الدوائين.
بشكل أساسي، الربط الهجين يمكن أن يخلق مسافات أقصر، مما يقلل من اللاتنس ويحسن الأداء، ويقلل من تشويه الإشارة، ويوفر العديد من الفوائد الأخرى. سواء كان ذلك سيؤثر على حصة السوق لـ SK hynix يعتمد على احتياجات العملاء وآرائهم الفردية. على سبيل المثال، ضمن شحنات HBM، التي تهيمن حالياً على HBM3E و HBM4، SK hynix هو الصانع الرائد بحصة سوقية تبلغ 50%، بينما Samsung تمتلك 33%. SK hynix شهد انخفاضاً طفيفاً، حيث كانت الشركة previously تحتل 64% من الإنفاق العالمي على ذاكرة HBM، لكنها الآن انخفضت إلى 50% بينما Samsung تكتسب زخماً.
المصدر: TechPowerUp News · لخّصه HeadlinesBriefing