据 SK hynix 未来技术研究所的一名工艺开发工程师向 Damnang 采访，据报道 SK hynix 在开发用于其 HBM 存储器的混合键合技术时面临挑战。这些问题足以严重，据称 SK hynix 尚未开始生产样品，而 Samsung 已 reportedly 向客户发送了使用混合键合制造的 HBM 样品。
如果属实，这将对 SK hynix 造成重大挫折，其 HBM 在全球市场收入份额中占据首位。这可能会导致那些需要更高容量、更好性能和更先进技术的客户从 SK hynix 失去市场份额。
对于不了解的人来说，混合键合使用嵌入金属凸块在两颗芯片之间形成永久结合，将它们融合成单一芯片。通过将两颗芯片的背面堆叠在一起，可以连接多个芯片或整个硅片。这种技术消除了传统的芯片凸块，并在两颗芯片之间直接铜互连。
本质上，混合键合可以创造更短的距离，降低延迟并提高性能，降低信号失真，并提供许多其他好处。无论这对 SK hynix 的市场份额有何影响，取决于客户需求以及他们各自的看法。例如，在 HBM 发货中，目前由 HBM3E 和 HBM4 主导，SK hynix 是领先制造商，市场份额为 50%，而 Samsung 占有 33%。SK hynix 经历了轻微下降，因为该公司此前占据了全球 HBM 内存支出的 64%，但现在已降至 50%，因为 Samsung 获得了势头。
来源: TechPowerUp News · 由HeadlinesBriefing整理摘要