Laut einem Prozessentwicklungsingenieur im Zukunftstechnologie-Forschungsinstitut von SK hynix, der mit Damnang sprach, SK hynix habe Schwierigkeiten bei der Entwicklung der Hybrid-Bonding-Technologie für seinen HBM-Speicher. Diese Probleme sind erheblich, sodass SK hynix noch nicht einmal die Musterproduktion begonnen habe, während Samsung reportedly bereits Proben von per Hybrid-Bonding hergestellten HBM an Kunden ausgeliefert habe.
Stimmt dies, ist dies ein erheblicher Rückschlag für SK hynix, dessen HBM den ersten Platz im globalen Marktanteil nach Umsatz belegt. Dies könnte potenziell zu einem Verlust des Marktanteils bei Kunden führen, die größere Kapazitäten, bessere Leistung und fortschrittlichere Technologie von ihren HBM-Lieferanten verlangen.
Hybrid Bonding verbindet zwei Silizium-Chips dauerhaft mittels in Kupferbühnen eingelassener Metall-Bumps, die miteinander verschmolzen werden, um einen Chip zu bilden. Mehrere Dies oder ganze Silizium-Wafer können durch Stapeln der Rückseiten zweier Chips miteinander verbunden werden. Diese Technologie eliminiert herkömmliche Chip-Bumps und verbindet die Kupfer-Interconnections zwischen den beiden Chips direkt.
Im Grunde kann Hybrid Bonding kürzere Distanzen erzeugen, die Latenz reduzieren und die Leistung verbessern, Signalverzerrungen verringern und viele weitere Vorteile bieten. Ob dies den Marktanteil von SK hynix beeinflusst, hängt von den Kundenbedürfnissen und deren jeweiligen Meinungen ab. Beispielsweise dominieren derzeit HBM3E und HBM4 die HBM-Lieferungen, SK hynix ist führender Hersteller mit einem Marktanteil von 50%, während Samsung 33% hält. SK hynix hat leicht nachgelassen, da das Unternehmen zuvor 64% des globalen Umsatzes mit HBM-Speicher erfasst hat, aber nun bei 50% steht, während Samsung an Schwung gewinnt.
Quelle: TechPowerUp News · Zusammengefasst von HeadlinesBriefing