Según un ingeniero de desarrollo de procesos en el Instituto de Investigación de Tecnologías Futuras de SK hynix, quien habló con Damnang, SK hynix estaría reportando dificultades para desarrollar la tecnología de acoplamiento híbrido para su memoria HBM. Estos problemas son lo suficientemente significativos como para que SK hynix aún no haya comenzado la producción de muestras, mientras que Samsung habría enviado ya muestras de HBM fabricado usando acoplamiento híbrido a clientes.
Si es cierto, esto representa un revés importante para SK hynix, cuyo HBM ha ocupado el primer puesto en participación de mercado global por ingresos. Esto podría potencialmente llevar a la pérdida de participación de mercado entre los clientes que requieren capacidades mayores, mejor rendimiento y tecnología más avanzada de sus proveedores de HBM.
Para quienes no están familiarizados, el acoplamiento híbrido crea un enlace permanente entre dos chips de silicio usando bloques de metal incrustados que se fusionan para formar un solo chip. Varios dies o láminas de silicio completas pueden conectarse apilando los extremos traseros de dos chips juntos. Esta tecnología elimina los tradicionales bloques de chips y une directamente las interconexiones de cobre entre los dos chips.
En esencia, el acoplamiento híbrido puede crear distancias más cortas, reduciendo la latencia y mejorando el rendimiento, reduciendo la distorsión de la señal y ofreciendo muchos otros beneficios. Si bien esto afectará o no la participación de mercado de SK hynix depende de las necesidades de los clientes y sus respectivas opiniones. Por ejemplo, entre los envíos de HBM, que ahora están dominados por HBM3E y HBM4, SK hynix es el fabricante líder con una participación del 50%, mientras que Samsung posee el 33%. SK hynix ha experimentado una ligera disminución, ya que la empresa anteriormente capturó el 64% del gasto global en memoria HBM, pero ahora ha descendido al 50% mientras Samsung gana impulso.
Fuente: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing