SK hynix HBM hibrid bonding এসিমে পিছনে

SK hynix ভবিষ্যৎ প্রযুক্তি গবেষণা ইনস্টিটিউটে প্রক্রিয়াশীল ইঞ্জিনিয়ার Damnang সাথে কথা বলতে পেলে, SK hynix HBM-র জন্য hibrid bonding প্রযুক্তি বিকাশে সমস্যার সম্মুখীন। এই সমস্যাগুলো ততটু গুরুত্বপূর্ণ যে SK hynix এখনো নমুনা উৎপাদন শুরু করেনি, আর Samsung reportedly গ্রাহকদের কাছে hibrid bonding ব্যবহার করে তৈরি HBM-এর নমুনা পাঠিয়েছে।

যদি এটি সত্য হয়, তবে এটি SK hynix জন্য একটি বড় প্রত্যাহার, যাদের HBM-র দিয়ে বিশ্বব্যাপী বাজার অংশ (revenue) তৃপ্ত। এটি সম্ভবত এমন গ্রাহকদের কাছ থেকে বাজার অংশ হারাতে পারে যাদের HBM সরবরাহকারীদের থেকে বেশি ক্ষমতা, বেঁচ Marks performance এবং আরও উন্নত প্রযুক্তির প্রয়োজন।

অনভিজ্ঞদের জন্য, hibrid bonding দুটি সিলিকন চিপের মধ্যে স্থায়ী বন্ধন তৈরি করে, যেখানে অন্তর্নিহিত ধাতু বাম্পস ব্যবহার করা হয় যেগুলো একসাথে মিলে একক চিপ তৈরি করে। বহু dies বা সম্পূর্ণ সিলিকন ওয়ারকে দুটি চিপের পেছনের শেষে স্ট্যাক করে জড়িত করা সম্ভব। এই প্রযুক্তি ঐতিহ্যবাহী চিপ বাম্পস মুছে ফেলে এবং দুটি চিপের মধ্যে সরাসরি তামার interconnections তৈরি করে।

ভিত্তিতে, hibrid bonding ছোট দূরত্ব তৈরি করতে পারে, ল্যাটেন্সি কমিয়ে কর্মক্ষমতা বাড়ায়, সিগন্যাল歪斷 কমায়, এবং অনেক অন্যান্য সুবিধা প্রদান করতে পারে। SK hynix বাজার অংশে কী প্রভাব পড়বে, এটি গ্রাহকদের প্রয়োজনীয়তা এবং তাদের যন্ত্রের মতভেদে নির্ভরশীল। উদাহরণস্বরূপ, HBM shipment-র মধ্যে, যা এখন HBM3E এবং HBM4 দ্বারাctrl, SK hynix অগ্রণী ম্যানুফ্যাকচারার, যার অংশ ৫০%। আর Samsung এর অংশ ৩৩%। SK hynix হালকা হ্রাস অভিজ্ঞতা করেছে, কারণ আগে এই компанিটি বিশ্বব্যাপী HBM মেমরি ব্যয়ের ৬৪% কapture করেছিল, কিন্তু Samsung এর উদয়ের সাথে এখন ৫০% পর্যন্ত পৌঁছে গেছে।

উৎস: TechPowerUp News · সারাংশ: HeadlinesBriefing